sdram 64mb h-消逝 (x4, x8, x16)
cmos sdram
rev. 1.3 8月 2004
绝对 最大 比率
参数 标识 Value 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 v
SS
V
在
, v
输出
-1.0 ~ 4.6 V
电压 在 v
DD
供应 相关的 至 v
SS
V
DD
, v
DDQ
-1.0 ~ 4.6 V
存储 温度 T
STG
-55 ~ +150
°
C
电源 消耗 P
D
1W
短的 电路 电流 I
OS
50 毫安
永久的 设备 损坏 将 出现 如果 "asolute 最大 比率" 是 超过.
函数的 运作 应当 是 restricted 至 推荐 运行 情况.
暴露 至 高等级的 比 推荐 电压 为 扩展 每iods 的 时间 可以 affect 设备 可靠性.
便条 :
直流 运行 情况
推荐 运行 情况 (电压 关联 至 v
SS
= 0v, t
一个
= 0 至 70
°
c)
参数 标识 最小值 Typ 最大值 单位 便条
供应 电压 V
DD
, v
DDQ
3.0 3.3 3.6 V
输入 逻辑 高 电压 V
IH
2.0 3.0 V
DD
+0.3 V 1
输入 逻辑 低 电压 V
IL
-0.3 0 0.8 V 2
输出 逻辑 高 电压 V
OH
2.4 - - V I
OH
= -2ma
输出 逻辑 低 电压 V
OL
--0.4vi
OL
= 2ma
输入 泄漏 电流 I
LI
-10 - 10 uA 3
1. v
IH
(最大值) = 5.6v 交流.这 越过 电压 持续时间 是
≤
3ns.
2. v
IL
(最小值) = -2.0v 交流. 这 undershoot 电压 持续时间 是
≤
3ns.
3. 任何 输入 0v
≤
V
在
≤
V
DDQ
.
输入 泄漏 电流 包含 hi-z 输出 泄漏为 所有 bi-directional 缓存区 和 触发-状态 输出.
注释 :
电容
(v
DD
= 3.3v, t
一个
= 23
°
c, f = 1mhz, v
REF
=1.4v
±
200
mv)
管脚 标识 最小值 最大值 单位 便条
时钟 C
CLK
2.5 4.0 pF 1
RAS
, cas, 我们, cs, cke, dqm C
在
2.5 5.0 pF 2
地址 C
增加
2.5 5.0 pF 2
DQ
0
~ dq
3
C
输出
4.0 6.5 pF 3
1. -75 仅有的 具体说明 一个 最大 值 的 3.5pf
2. -75 仅有的 具体说明 一个 最大 值 的 3.8pf
3. -75 仅有的 具体说明 一个 最大 值 的 6.0pf
注释 :
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