1999 8月 10 9
飞利浦 半导体 初步的 规格
全部 桥 驱动器 ic UBA2030T
特性
T
j
=25
°
c; 所有 电压 和 遵守 至 pgnd; 积极的 电流 flow 在 这 ic.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
高 电压
V
HV
高 电压 供应 0
−
570 V
I
L
泄漏 电流 和 hv = 570 v 应用 至 管脚
ber, shr 和 shl
−−
5
µ
一个
V
pgnd(float)
;
V
sgnd(float)
floating 地面 电压 0
−
5V
开始-向上, powered 通过 这 hv 管脚;
便条 1
I
strtu
开始-向上 电流
−
0.7 1.0 毫安
V
strtu
开始-向上 电压 高 left 和 正确的 MOSFETs 止; 低
left 和 正确的 mosfets 在
−
6
−
V
V
th(osc strt)
开始 oscillating 门槛
电压
f
桥
= 500 hz; 非 加载 14.0 15.5 17.0 V
V
th(osc stp)
停止 oscillating 门槛
电压
11.5 13.0 14.5 V
V
hys
hysteresis 电压 在 振动 开始 和 停止
水平
2.0 2.5 3.0 V
I
HV
供应 电流 f
桥
= 500 hz; 非 加载; v
HV
= 50 V 0.3 0.5 0.7 毫安
V
DD
内部的 供应 电压 (低
电压)
f
桥
= 500 hz; 非 加载; v
HV
= 50 V 14.0 15.3 16.5 V
f
桥
= 500 hz; 非 加载; 在 开始
oscillating 门槛
10.5 11 11.5 V
f
桥
= 500 hz; 非 加载; 在 停止
oscillating 门槛
8.0 8.5 9.0 V
输出 驱动器
V
o(ghl,ghr)
输出 电压 在 管脚 ghl
和 GHR 为 门 的 高等级的
正确的 和 left mosfets
在 电源-向上; 非 加载; v
HV
=50v;
f
桥
= 500 hz;
13.2 14.5 16.5 V
V
o(gll,glr)
输出 电压 在 管脚 gll
和 glr 为 门 的 更小的
正确的 和 left mosfets
14.0 15.3 16.5 V
∆
t 时间 区别 在
diagonally 放置 输出
驱动器
0
−
100 ns
R
onH
高等级的 mosfets 在
阻抗
V
FSR
=V
FSL
= 15 v; i
源
=50mA 33 39 46
Ω
R
offH
高等级的 mosfets 止
阻抗
V
FSR
=V
FSL
= 15 v; i
下沉
=50mA 11 14 17
Ω
R
onL
更小的 mosfets 在
阻抗
V
DD
=15v; i
源
=50mA 333946
Ω
R
offL
更小的 mosfets 止
阻抗
V
DD
=15v; i
下沉
=50mA 111417
Ω
V
二极管
自举 二极管 电压
漏出
I
二极管
= 1 毫安 0.8 1.0 1.2 V
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