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资料编号:672941
 
资料名称:UMN10N
 
文件大小: 177.3K
   
说明
 
介绍:
Switching diode
 
 


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  浏览型号UMN10N的Datasheet PDF文件第1页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
UMN10N
二极管
2/3
向前 voltage:vf(mv)
vf-如果 特性
向前 电流:如果(毫安)
反转 电流:ir(na)
反转 voltage:vr(v)
vr-ir 特性
电容 在
terminals:ct(pf)
反转 电压:vr(v)
vr-ct 特性
vf dispersion mAP
向前 电压:vf(mv)
反转 电流:ir(na)
ir dispERSION编排
电容 在
terminals:ct(pf)
ct dispersion 编排
IFSMDISResion mAP
顶峰 surge
向前 电流:ifsm(一个)
顶峰 surge
向前 电流:ifsm(一个)
号码 的 循环
ifsm-循环 charaCTERISTICS
顶峰 surge
时间:t(ms)
IFSM - t chaRACTERISTICS
时间:t(s)
rth-t 特性
TRANSIENT
thaermal 阻抗:rth (℃/w)
trr disperSIONMAP
保留 恢复 时间:trr(ns)
静电的
ddischarge 测试 静电释放(kv)
静电释放 dispersion 编排
向前 电流:ifsm(一个)
z
电的 典型的 曲线
0.1
1
10
100
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=150℃
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0 1020 30405060 7080
Ta=125℃
ta=-25℃
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=150℃
900
910
920
930
940
950
ave:921.7mv
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Ta=25℃
VR=80V
n=30pcs
ave:9.655na
0
5
10
15
20
ave:3.50a
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ave:1.93ns
Ta=25℃
VR=6V
IF=5mA
RL=50Ω
n=10pcs
0
1
2
3
4
5
1 10 100
8.3ms
Ifsm
1cyc
8.3ms
1
10
100
0.1 1 10 100
t
Ifsm
1
10
100
1000
0.001 0.1 10 1000
rth(j-c)
rth(j-一个)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C=100pF
r=1.5kΩ
C=200pF
R=0Ω
ave:0.97kv
ave:2.54kv
0.1
1
10
0 5 10 15 20
f=1MHz
1ms
IM=1mA IF=50mA
300us
时间
挂载 在 环氧的 板
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
ave:1.081pf
Ta=25℃
VR=6V
f=1MHz
n=10pcs
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