emx18 / umx18n
晶体管
z
zz
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 标识
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
ce (sat)
Cob
最小值
15
12
6
−
−
270
−
−
−
−
−
−
−
−
90
7.5
−
−
−
0.1
0.1
680
250
−
VI
C
=1
0
µ
一个
I
C
=
1mA
I
E
=1
0
µ
一个
V
CB
=15
V
V
EB
=6
V
V
CE
=2
v, i
C
=
10mA
I
C
/i
B
=20
0ma/10ma
V
V
µ
一个
µ
一个
−
mV
PF
典型值 最大值 单位 情况
f
T
−
320
−
V
CE
=
2v, i
E
=
−
10ma, f
=
100MHz
V
CB
=
10v, i
E
=
0a, f
=
1MHz
MHz
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
直流 电流转移 比率
转变 频率
集电级-发射级 饱和 电压
输出 电容
z
zz
z
包装 规格
包装
代号 TN
3000
Taping
基本 订货
单位 (片)
UMX18N
T2R
8000
EMX18
类型
z
zz
z
电的 典型的 曲线
0
1
10
根基 至 发射级 电压 : v
是
(v)
图.1 grounded 发射级 传播
特性
集电级 电流 : i
C
(毫安)
100
0.5 1.0 1.5
V
CE
= 2v
1000
ta =
1
25
°
C
25
°
C
-40
°
C
2
5
20
50
200
500
1 2 5 10 20 50 100 200 500
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.2 直流 电流 增益 vs.
集电级 电流
10
直流 电流 增益 : h
FE
1000
20
50
100
200
500
1000
ta =
1
25
°
C
5
2
1
V
CE
=
2V
25
°
C
-40
°
C
1
2
5
10
20
50
100
200
I
C
/
I
B
=
20
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(mv)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.3 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 (
Ι
)
ta =
1
25
°
C
500
1000
25
°
C
-40
°
C
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