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晶体管 和 建造-在 电阻
un2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211d/211e/211f/211h/211l/211m/211n/211t/211v/211z
特性 charts 的 un2118
I
C
— v
CE
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
C
ob
— v
CB
I
O
— v
在
V
在
— i
O
特性 charts 的 un2119
I
C
— v
CE
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
0
0 –12–2 –10–4 –8–6
–240
–200
–160
–120
–80
–40
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
Ta=25˚C
I
B
=–1.0ma
–0.9ma
–0.8ma
–0.7ma
–0.4ma
–0.3ma
–0.2ma
–0.1ma
–0.5ma
–0.6ma
–0.01
–0.03
–0.1 –0.3
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1 –3 –10 – 30 –100
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
I
C
/i
B
=10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0
–1 –3
40
80
120
160
–10 –30 –100 –300 –1000
向前 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
V
CE
=–10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0
–0.1 –0.3
6
5
4
3
2
1
–1 –3 –10 –30 –100
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
–1
–3
–0.4
–10
–30
–100
–300
–1000
–3000
–10000
–1.4–1.2–1.0–0.8–0.6
输出 电流 i
O
(
µ
一个
)
输入 电压 v
在
(
V
)
V
O
=–5V
Ta=25˚C
–0.01
–0.03
–0.1 –0.3
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1 –3 –10 –30 –100
输入 电压 v
在
(
V
)
输出 电流 i
O
(
毫安
)
V
O
=–0.2v
Ta=25˚C
0
0 –12–2 –10–4 –8–6
–240
–200
–160
–120
–80
–40
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
Ta=25˚C
I
B
=–1.0ma
–0.4ma
–0.3ma
–0.6ma
–0.9ma
–0.8ma
–0.7ma
–0.5ma
–0.2ma
–0.1ma
–0.01
–0.03
–0.1 –0.3
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1 –3 –10 –30 –100
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
I
C
/i
B
=10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0
–1 –3
40
80
120
160
–10 –30 –100 –300 –1000
向前 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
V
CE
=–10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
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