首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:673143
 
资料名称:UN2216
 
文件大小: 436.8K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN epitaxial planar transistor
 
 


: 点此下载
  浏览型号UN2216的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号UN2216的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号UN2216的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号UN2216的Datasheet PDF文件第8页
8

9
浏览型号UN2216的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号UN2216的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号UN2216的Datasheet PDF文件第12页
12
浏览型号UN2216的Datasheet PDF文件第13页
13
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
unr221x 序列
9
SJH00010CED
I
C
V
CE
V
ce(sat)
I
C
h
FE
I
C
I
C
V
CE
V
ce(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
V
I
O
特性 charts 的 unr2218
特性 charts 的 unr2219
012210486
0
240
200
160
120
80
40
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
T
一个
=
25
°
C
I
B
=
1.0 毫安
0.1 毫安
0.2 毫安
0.3 毫安
0.4 毫安
0.5 毫安
0.6 毫安
0.7 毫安
0.8 毫安
0.9 毫安
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1 10 100
集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
I
C
/ i
B
=
10
T
一个
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
40
80
120
160
10 100 1
000
向前 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(毫安)
V
CE
=
10 v
T
一个
= 75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1 10 100
集电级 输出 电容
(一般 根基, 输入 打开 短路)
C
ob
(pf)
集电级-根基 电压 v
CB
(v)
f
=
1 mhz
I
E
=
0
T
一个
=
25
°
C
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.41.21.00.80.6
输出 电流 i
O
(
µ
一个)
输入 电压 v
(v)
V
O
=
5 v
T
一个
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1 10 100
输入 电压 v
(v)
输出 电流 i
O
(毫安)
V
O
=
0.2 v
T
一个
=
25
°
C
012210486
0
240
200
160
120
80
40
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
T
一个
=
25
°
C
I
B
=
1.0 毫安
0.1 毫安
0.2 毫安
0.3 毫安
0.4 毫安
0.5 毫安
0.6 毫安
0.7 毫安
0.8 毫安
0.9 毫安
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1 10 100
集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
I
C
/ i
B
=
10
T
一个
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
40
80
120
160
10 100 1
000
向前 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(毫安)
V
CE
=
10 v
T
一个
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com