晶体管 和 建造-在 电阻
1
发行 日期: january 2004 SJH00024CED
unr521x 序列
(un521x 序列)
硅 npn 外延的 planar 类型
为 数字的 电路
■
特性
•
costs 能 是 减少 通过 downsizing 的 这 设备 和
减少 的 这 号码 的 部分
•
s-迷你 类型 包装, 准许 自动 嵌入 通过 这 录音带
包装 和 magazine 包装
■
阻抗 用 部分 号码
标记 标识 (r
1
)(r
2
)
•
UNR5210 (un5210) 8L 47 k
Ω
•
UNR5211 (un5211) 8A 10 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR5212 (un5212) 8B 22 k
Ω
22 k
Ω
•
UNR5213 (un5213) 8C 47 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR5214 (un5214) 8D 10 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR5215 (un5215) 8E 10 k
Ω
•
UNR5216 (un5216) 8F 4.7 k
Ω
•
UNR5217 (un5117) 8H 22 k
Ω
•
UNR5218 (un5218) 8I 0.51 k
Ω
5.1 k
Ω
•
UNR5219 (un5219) 8K 1 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR521D (un521d) 8M 47 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR521E (un521e) 8N 47 k
Ω
22 k
Ω
•
UNR521F (un521f) 8O 4.7 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR521K (un521k) 8P 10 k
Ω
4.7 k
Ω
•
UNR521L (un521l) 8Q 4.7 k
Ω
4.7 k
Ω
•
UNR521M (un521m) EL 2.2 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR521N (un521n) EX 4.7 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR521T (un521t) EZ 22 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR521V (un521v) FD 2.2 k
Ω
2.2 k
Ω
•
UNR521Z (un521z) FF 4.7 k
Ω
22 k
Ω
■
绝对 最大 比率
T
一个
=
25
°
C
便条) 这 部分 号码 在 这 parenthesis 显示 常规的 部分 号码.
内部的 连接
单位: mm
1: 根基
2: 发射级
3: 集电级
eiaj: sc-70
smini3-g1 包装
B
R
1
R
2
C
E
2.1
±
0.1
1.3
±
0.1
0.3
+0.1
–0.0
2.0
±
0.2
1.25
±
0.10
(0.425)
1
3
2
(0.65)
(0.65)
0.2
±
0.1
0.9
±
0.1
0 至 0.1
0.9
+0.2
–0.1
0.15
+0.10
–0.05
5˚
10˚
参数 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 (发射级 打开) V
CBO
50 V
集电级-发射级 电压 (根基 打开) V
CEO
50 V
集电级 电流 I
C
100 毫安
总的 电源 消耗 P
T
150 mW
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
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