首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:673785
 
资料名称:UPA1764G
 
文件大小: 38.8K
   
说明
 
介绍:
SWITCHING DUAL N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
 
 


: 点此下载
  浏览型号UPA1764G的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号UPA1764G的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号UPA1764G的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 g14329ej1v0ds00
2
µ
µµ
µ
PA1764
电的 特性 (t
一个
= 25 °c, 所有 terminals 是 连接.)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)1
V
GS
= 10 v, i
D
= 3.5 一个 27 35 m
R
ds(在)2
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 3.5 一个 32 42 m
R
ds(在)3
V
GS
= 4.0 v, i
D
= 3.5 一个 34 46 m
门 至 源 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安 1.5 2.0 2.5 V
向前 转移 admittance | y
fs
|V
DS
= 10 v, i
D
= 3.5 一个 5.0 9.0 S
流 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v 10
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= ±20 v, v
DS
= 0 v
±
10
µ
一个
输入 电容 C
iss
V
DS
= 10 v 1300 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v 230 pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1
MHz 110 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
I
D
= 3.5 一个 15 ns
上升 时间 t
r
V
gs(在)
= 10 v 69 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 30 v 65 ns
下降 时间 t
f
R
G
= 10
27 ns
总的 门 承担 Q
G
I
D
= 7.0 一个 29 nC
门 至 源 承担 Q
GS
V
DD
= 48 v 3.6 nC
门 至 流 承担 Q
GD
V
GS
= 10 v 7.4 nC
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
I
F
= 7.0 一个, v
GS
= 0 v 0.84 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 7.0 一个, v
GS
= 0 v 40 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
di/dt = 100 一个
/
µ
s66nC
测试 电路 1 avalanche 能力
R
G
= 25
50
pg.
L
V
DD
V
GS
= 20
0 v
BV
DSS
I
I
D
V
DS
开始 t
ch
V
DD
d.u.t.
测试 电路 3 门 承担
测试 电路 2 切换 时间
pg.
R
G
0
V
GS
d.u.t.
R
L
V
DD
τ
= 1
s
µ
职责 循环
1 %
V
GS
波 表格
I
D
波 表格
V
GS
10 %
90 %
V
GS
(在)
10 %
0
I
D
90 %
90 %
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10 %
τ
I
D
0
t
t
pg.
50
d.u.t.
R
L
V
DD
I
G
= 2 毫安
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com