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1995
数据 薄板
复合 地方 效应 电源 晶体管
µ
PA1500B
n-频道 电源 mos 场效应晶体管 排列
切换 使用
描述
这
µ
pa1500b 是 n-频道 电源 mos 场效应晶体管 排列
那 建造 在 4 电路 和 surge absorber 设计 为
solenoid, 发动机 和 lamp 驱动器.
特性
• 4 v 驱动 是 可能
• 大 电流 和 低 在-状态 阻抗
I
d(直流)
=
±
3 一个
R
ds(在)1
≤
0.18
Ω
最大值 (v
GS
= 10 v, i
D
= 2 一个)
R
ds(在)2
≤
0.24
Ω
最大值 (v
GS
= 4 v, i
D
= 2 一个)
• 低 输入 电容 ciss = 200 pf 典型值
• surge absorber, 建造 在
订货 信息
类型 号码 包装
µ
PA1500BH 12 管脚 sip
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
流 至 源 电压 V
DSS
便条 1
60 V
门 至 源 电压 V
GSS
便条 2
±
20 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±
3.0 一个/单位
流 电流 (脉冲波) I
d(脉冲波)
便条 3
±
12 一个/单位
repetitive 顶峰 反转 电压
V
RRM
便条 4
65 V
二极管 向前 电流 I
f(av)
便条 4
3.0 一个/单位
总的 电源 消耗 P
T1
便条 5
28 W
总的 电源 消耗 P
T2
便条 6
4.0 W
频道 温度 T
CH
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 150 ˚C
单独的 avalanche 电流 I
作
便条 7
3.0 一个
单独的 avalanche 活力 E
作
便条 7
0.9 mJ
注释 1.
V
GS
= 0
2.
V
DS
= 0
3.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
4.
比率 的 surge absorber
5.
4 电路, t
C
= 25 ˚c
6.
4 电路, t
一个
= 25 ˚c
7.
开始 t
CH
= 25 ˚c, v
DD
= 30 v, v
GS
= 20 v
→
0,
R
G
= 25
Ω
, l = 100
µ
H
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 的 这 晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放. 当 这个
设备 是 的确 使用, 一个 额外的 保护 电路 是 externally 必需的 如果 一个 电压 exceeding 这 评估 电压
将 是 应用 至 这个 设备.
文档 非. g10597ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 12月 1995 p
打印 在 日本
包装 维度
(在 毫米)
连接 图解
234
D
6
D
5
D
2
R
G
D
1
R
G
Z
D
Z
D
1
6
5
91011
D
8
D
7
D
4
R
G
D
3
R
G
Z
D
Z
D
8
7
12
D
1
至 d
4
D
5
至 d
8
Z
D
R
G
: 身体 二极管
: surge absorber
: 门 至 源 保护 二极管
: 门 输入 阻抗 330
Ω
典型值
31.5 最大值
4.2 最大值
123456789101112
2.54 典型值 0.7±0.1 1.4±0.1 0.5±0.1 1.4 典型值
2.5 典型值
10.5 最大值.10.0 最小值
electrode 连接
1, 5, 8, 12
2, 4, 9, 11
6, 7
3, 10
门
流, anode
源
CATHODE
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