UPA103G-E1_集成电路资料查询网

µ
PA103
4
数据 薄板  p10708ej2v0ds00
典型  效能  特性
(t
一个
= +25
°
c)
10
8
6
4
2
0
012345
集电级 至 发射级 电压, v
CE
(v)
I
B
= 20    一个
µ
100
集电级 电流 vs.
集电级 至 发射级 电压
20
0.4
集电级 电流, i
C
(毫安)
根基 至 发射级 电压, v
是
(v)
集电级 电流 vs.
根基 至 发射级 电压
集电级 电流, i
C
(毫安)
10
2
5
1
0.1
0.5
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
V
CE
= 3 v
1000
0.5 1 2
集电级 电流, i
C
(毫安)
直流 电流 增益 vs.
集电级 电流
12
10
8
6
4
1
增益 带宽 产品, f
T
(ghz)
集电级 电流, i
C
(毫安)
增益 带宽 产品 vs.
集电级 电流
直流 电流 增益, h
FE
200
500
100
20
50
10
51020 50 502 5 10 20
V
CE
= 5 v
3 v
1 v
100
50
20
10
0
1
增益 (db)
集电级 电流, i
C
(毫安)
增益 和 噪音 图示 的
单独的 晶体管
2 5 10 20 50 100
V
CC
= 3 v
f = 1 ghz
8
6
4
2
0
噪音 图示, nf (db)
增益
NF
80
60
40
200
1.1

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

µ PA103 4 数据薄板 p10708ej2v0ds00 典型效能特性 (t 一个 = +25 ° c) 10 8 6 4 2 0 012345 集电级至发射级电压, v CE (v) I B = 20 一个 µ 100 集电级电流 vs. 集电级至发射级电压 20 0.4 集电级电流, i C (毫安) 根基至发射级电压, v 是 (v) 集电级电流 vs. 根基至发射级电压集电级电流, i C (毫安) 10 2 5 1 0.1 0.5 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 V CE = 3 v 1000 0.5 1 2 集电级电流, i C (毫安) 直流电流增益 vs. 集电级电流 12 10 8 6 4 1 增益带宽产品, f T (ghz) 集电级电流, i C (毫安) 增益带宽产品 vs. 集电级电流直流电流增益, h FE 200 500 100 20 50 10 51020 50 502 5 10 20 V CE = 5 v 3 v 1 v 100 50 20 10 0 1 增益 (db) 集电级电流, i C (毫安) 增益和噪音图示的单独的晶体管 2 5 10 20 50 100 V CC = 3 v f = 1 ghz 8 6 4 2 0 噪音图示, nf (db) 增益 NF 80 60 40 200 1.1

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com