UTRON
UT6264C
rev. 1.1
8k x 8 位 低 电源 cmos sram
utron 技术 公司 P80028
1f, 非. 11, r&放大;d rd. ii, science-based 工业的 park, hsinchu, taiwan, r. o. c.
电话: 886-3-5777882 传真: 886-3-5777919
6
数据 保持 特性
(ta = 0
℃
至 70
℃
)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
vcc 为 数据 保持
V
DR
1CE
≧
V
CC
-0.2v 或者 ce2
≤
0.2v
2.0 - 5.5 v
-l - 1 50
µ
一个
数据 保持 电流
I
DR
Vcc=2V
1CE
≧
V
CC
-0.2v 或者 ce2
≤
0.2v
-ll - 0.5 20
µ
一个
碎片 使不能运转 至 数据
保持 时间
t
CDR
看 数据 retentionwaveforms
(在下)
0 - - ns
恢复 时间
t
R
t
RC*
- - ns
t
RC*
= 读 循环 时间
数据 保持 波形
低 vcc 数据 保持 波形 (1)
(
1
CE
控制)
数据 保持 模式
V
DR
≧
2V
CE1
≧
V
CC
-0.2v
Vcc
Vcc
V
IH
V
IH
V
CC
CE1
t
R
t
CDR
低 vcc 数据 保持 波形 (2)
(ce2 控制)
数据 保持 模式
V
DR
≧
2V
Vcc
Vcc
V
CC
t
R
t
CDR
CE2
≦
0.2v
V
IL
V
IL
CE2
: 点此下载
