Am29LV010B 2
进步 信息
一般 描述
这 am29lv010b 是 一个 1 mbit, 3.0 volt-仅有的 flash
记忆 设备 有组织的 作 131,072 字节. 这
am29lv010b 有 一个 uniform sector architecture.
这 设备 是 offered 在 32-管脚 plcc 和 32-管脚 tsop
包装. 这 字节-宽 (x8) 数据 呈现 在 dq7–
dq0. 所有 读, 擦掉, 和 程序 行动 是
accomplished 使用 仅有的 一个 单独的 电源 供应. 这
设备 能 也 是 编写程序 在 标准 非易失存储器
programmers.
这 标准 am29lv010b 提供 进入 时间 的 45,
55, 70, 和 120 ns (90 和 100 ns 部分 是 也 avail-
能), 准许 高 速 微处理器 至 运作
没有 wait states. 至 eliminate 总线 contention, 这
设备 有 独立的 碎片 使能 (ce#), 写 使能
(we#) 和 输出 使能 (oe#) 控制.
这 设备 需要 仅有的 一个
单独的 电源 供应
(2.7
v–3.6v) 为 两个都 读 和 写 功能. 内部
发生 和 管制 电压 是 提供 为 这
程序 和 擦掉 行动.
这 设备 是 全部地 command 设置 兼容 和 这
电子元件工业联合会 单独的-电源-供应 flash 标准
. com-
mands 是 写 至 这 command 寄存器 使用
标准 微处理器 写 timings. 寄存器 con-
tents 提供 作 输入 至 一个 内部的 状态-机器 那
控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统. 写
循环 也 内部 获得 地址 和 数据 需要
为 这 程序编制 和 擦掉 行动. 读
数据 输出 的 这 设备 是 类似的 至 读 从 其它
flash 或者 非易失存储器 设备.
设备 程序编制 occurs 用 executing 这 程序
command sequence. 这个 initiates 这
Embedded
程序
algorithm—an 内部的 algorithm 那 自动-
matically 时间 这 程序 脉冲波 widths 和 核实
恰当的 cell 余裕. 这
unlock 绕过
模式 facili-
tates faster 程序编制 时间 用 需要 仅有的 二
写 循环 至 程序 数据 instead 的 四.
设备 erasure occurs 用 executing 这 擦掉 com-
mand sequence. 这个 initiates 这
embedded 擦掉
algorithm—an 内部的 algorithm 那 automatically
preprograms 这 排列 (如果 它 是 不 already 编写程序)
在之前 executing 这 擦掉 运作. 在 擦掉, 这
设备 automatically 时间 这 擦掉 脉冲波 widths 和
核实 恰当的 cell 余裕.
这 host 系统 能 发现 whether 一个 程序 或者
擦掉 运作 是 完全 用 读 这 dq7 (data#
polling) 和 dq6 (toggle)
状态 位
.之后 一个 程序
或者 擦掉 循环 有 被 完成, 这 设备 是 准备好
至 读 排列 数据 或者 接受 另一 command.
这
sector 擦掉 architecture
准许 记忆 sectors
至 是 erased 和 reprogrammed 没有 影响 这
数据 内容 的 其它 sectors. 这 设备 是 全部地
erased 当 运输 从 这 工厂.
硬件 数据 保护
measures 包含 一个 低
V
CC
探测器 那 automatically inhibits 写 opera-
tions 在 电源 transitions. 这
硬件 sector
保护
特性 使不能运转 两个都 程序 和 擦掉
行动 在 任何 结合体 的 这 sectors 的 mem-
ory. 这个 能 是 达到 在-系统 或者 通过 程序-
ming 设备.
这
擦掉 suspend
特性 使能 这 用户 至 放
擦掉 在 支撑 为 任何 时期 的 时间 至 读 数据 从,
或者 程序 数据 至, 任何 sector 那 是 不 选择 为
erasure. 真实 background 擦掉 能 因此 是 达到.
这 设备 提供 二 电源-节省 特性. 当 ad-
dresses 有 被 稳固的 为 一个 指定 数量 的
时间, 这 设备 enters 这
自动 睡眠 模式
.
这 系统 能 也 放置 这 设备 在 这
备用物品
模式
. 电源 消耗量 是 非常 减少 在 两个都
这些 模式.
amd’s flash 技术 结合 年 的 flash
记忆 制造 experience 至 生产 这
最高的 水平 的 质量, 可靠性 和 费用 有效的-
ness. 这 设备 用电气 erases 一个ll位swithin一个
sector 同时发生地 通过 fowler-nordheim tun-
neling. 这 数据 是 编写程序 使用 hot electron
injection.
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