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2004 semtech corp.
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保护 产品
srv05-4
管脚 描述
这 涉及 电压 加 这 v
F
漏出 的 这 二极管.
为 负的 events, 这 bottom 二极管 将 是 片面的
当 这 电压 超过 这 v
F
的 这 二极管. 在 第一
approximation, 这 夹紧 电压 预定的 至 这 charac-
teristics 的 这 保护 二极管 是 给 用:
V
C
= v
CC
+ v
F
(为 积极的 持续时间 脉冲)
V
C
= -v
F
(为 负的 持续时间 脉冲)
不管怎样, 为 快 上升 时间 瞬时 events, 这
影响 的 parasitic 电感 必须 也 是 consid-
ered 作 显示 在 图示 2. 因此, 这 真实的
夹紧 电压 seen 用 这 保护 电路 将 是:
V
C
= v
CC
+ v
F
+ l
P
di
静电释放
/dt (为 积极的 持续时间 脉冲)
V
C
= -v
F
- l
G
di
静电释放
/dt (为 负的 持续时间 脉冲)
静电释放 电流 reaches 一个 顶峰 振幅 的 30a 在 1ns
为 一个 水平的 4 静电释放 联系 释放 每 iec 61000-4-2.
因此, 这 电压 越过 预定的 至 1nh 的 序列
电感 是:
v = l
P
di
静电释放
/dt = 1x10
-9
(30 / 1x10
-9
) = 30v
例子:
考虑 一个 v
CC
= 5v, 一个 典型 v
F
的 30v (在 30a) 为 这
steering 二极管 和 一个 序列 查出 电感 的 10nh.
这 夹紧 电压 seen 用 这 保护 ic 为 一个
积极的 8kv (30a) 静电释放 脉冲波 将 是:
V
C
= 5v + 30v + (10nh x 30v/nh) = 335v
这个 做 不 引领 在 账户 那 这 静电释放 电流 是
directed 在 这 供应 栏杆, 可能地 损害的 任何
组件 那 是 连结 至 那 栏杆. 也 便条
那 它 是 不 uncommon 为 这 v
F
的 分离的 二极管 至
超过 这 损坏 门槛 的 这 保护 ic. 这个
是 预定的 至 这 相当地 小 接合面 范围 的 典型
分离的 组件. 它 是 也 可能 那 这
电源 消耗 能力 的 这 分离的 二极管 将
是 超过, 因此 destroying 这 设备.
这 railclamp 是 设计 至 克服 这 固有的
disadvantages 的 使用 分离的 信号 二极管 为 静电释放
抑制. 这 railclamp’s 整体的 tvs 二极管
图示 1 - “rail-图示 1 - “rail-
图示 1 - “rail-图示 1 - “rail-
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TT
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T
o-rail” pro-rail” pr
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tt
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ection tection t
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opologyopology
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(第一 approximation)(第一 approximation)
(第一 approximation)(第一 approximation)
(第一 approximation)
图示 2 - 这 影响 的 parasitic inductancefigure 2 - 这 影响 的 parasitic 电感
图示 2 - 这 影响 的 parasitic inductancefigure 2 - 这 影响 的 parasitic 电感
图示 2 - 这 影响 的 parasitic 电感
当 使用 分离的 组件 至 implementwhen 使用 分离的 组件 至 执行
当 使用 分离的 组件 至 implementwhen 使用 分离的 组件 至 执行
当 使用 分离的 组件 至 执行
栏杆-栏杆-
栏杆-栏杆-
栏杆-
TT
TT
T
o-栏杆 pro-栏杆 pr
o-栏杆 pro-栏杆 pr
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oo
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ectionection
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ection
图示 3 - 栏杆-图示 3 - 栏杆-
图示 3 - 栏杆-图示 3 - 栏杆-
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TT
TT
T
o-栏杆 pro-栏杆 pr
o-栏杆 pro-栏杆 pr
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oo
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tt
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t
ection usingection 使用
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RailClamRailClam
RailClamRailClam
RailClam
p tp t
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VV
VV
V
s arras arra
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ysys
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