电容的 特性
Symbol 参数 Test Conditions Value Un它
T
一个
=25
o
C -40 至 85
o
C
最小值 典型值 最大值 最小值 最大值
C
在
输入 电容 4 10 10
pF
C
PD
电源 消耗
电容 (便条 1)
21 pF
1) C
PD
isdefined 作 这 值 的 这 IC’s内部的 相等的 电容 这个 是 计算 从这 运行 电流 消耗量 没有 加载. (谈及至
测试 电路).平均 运行 电流 能 是 得到 用这 下列的 等式. I
CC
(opr) = C
PD
•
V
CC
•
f
在
+I
CC
交流 电的 特性
(输入 t
r
=t
f
=3 ns)
标识 参数 测试 情况 值 单位
V
CC
(v)
C
L
(pf)
T
一个
=25
o
C -40 至 85
o
C
最小值 典型值 最大值 最小值 最大值
t
PLH
t
PHL
传播 延迟
时间
3.3
(*)
15 8.3 12.5 1.0 15.0
ns
3.3
(*)
50 10.8 16.0 1.0 18.5
5.0
(**)
15 5.5 8.6 1.0 10.0
5.0
(**)
50 7.0 10.5 1.0 12.0
(*) 电压 范围 是 3.3v
±
0.3v
(**) 电压 范围 是 5V
±
0.5v
直流 规格
Symbol 参数 Test Conditions Value Un它
V
CC
(v)
T
一个
=25
o
C -40 至 85
o
C
最小值 典型值 最大值 最小值 最大值
V
t+
高 水平的 输入
电压
3.0 2.2 2.2
V
4.5 3.15 3.15
5.5 3.85 3.85
V
t-
低 水平的 Input
电压
3.0 0.9 0.9
V
4.5 1.35 1.35
5.5 1.65 1.65
V
h
Hysteresis 电压 3.0 0.3 1.2 0.3 1.2
V
4.5 0.4 1.4 0.4 1.4
5.5 0.5 1.6 0.5 1.6
V
OH
高 水平的 输出
电压
2.0 I
O
=-50
µ
一个 1.9 2.0 1.9
V
3.0 I
O
=-50
µ
一个 2.9 3.0 2.9
4.5 I
O
=-50
µ
一个 4.4 4.5 4.4
3.0 I
O
=-4 毫安 2.58 2.48
4.5 I
O
=-8 毫安 3.94 3.8
V
OL
低 水平的 Output
电压
2.0 I
O
=50
µ
一个 0.0 0.1 0.1
V
3.0 I
O
=50
µ
一个 0.0 0.1 0.1
4.5 I
O
=50
µ
一个 0.0 0.1 0.1
3.0 I
O
=4 毫安 0.36 0.44
4.5 I
O
=8 毫安 0.36 0.44
I
I
输入 泄漏 电流 0 至 5.5 V
I
= 5.5v 或者 地
±
0.1
±
1.0
µ
一个
I
CC
安静的 供应
电流
5.5 V
I
=V
CC
或者 地 1 10
µ
一个
74V1G14
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