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资料编号:683320
 
资料名称:V53C16258LK50
 
文件大小: 154.88K
   
说明
 
介绍:
HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH
 
 


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6
v53c16258l rev. 1.1 六月 1999
mosel vitelic
V53C16258L
33 t
DH
数据 在 支撑 时间 5 5 6 7 ns 14
34 t
WOH
写 至 oe 支撑 时间 5 6 7 8 ns 14
35 t
OED
oe 至 数据 延迟 时间 5 6 7 8 ns 14
36 t
RWC
读-modify-写 循环 时间 90 110 115 130 ns
37 t
RRW
读-modify-写 循环 ras 脉冲波
宽度
59 75 80 87 ns
38 t
CWD
cas 至 我们 延迟 23 30 32 34 ns 12
39 t
RWD
ras 至 我们 延迟 在 读-
modify-写 循环
46 58 62 68 ns 12
40 t
CRW
cas 脉冲波 宽度 (rmw) 34 48 50 52 ns
41 t
AWD
col. 地址 至 我们 延迟 29 38 41 42 ns 12
42 t
PC
edo 页 模式 读 或者 写 循环
时间
14 15 17 19 ns
43 t
CP
cas precharge 时间 4 5 6 7 ns
44 t
column 地址 至 ras 建制 时间 18 20 22 24 ns
45 t
CAP
进入 时间 从 column precharge 20 23 25 27 ns 7
46 t
DHR
数据 在 支撑 时间 关联 至 ras 25 30 35 40 ns
47 t
CSR
cas 建制 时间 cas-在之前-ras
Refresh
8 10 10 10 ns
48 t
RPC
ras 至 cas precharge 时间 0 0 0 0 ns
49 t
CHR
cas 支撑 时间 cas-在之前-ras refresh 8 10 10 10 ns
50 t
PCM
edo 页 模式 读-modify-写
循环 时间
43 60 65 70 ns
51 t
COH
输出 支撑 之后 cas 低 3 5 5 5 ns
52 t
OES
oe 低 至 cas 高 建制 时间 3 5 5 5 ns
53 t
OEH
oe 支撑 时间 从 我们 在
读-modify 写 循环
5 10 10 10 ns
54 t
OEP
oe 高 脉冲波 宽度 8 10 10 10 ns
55 t
T
转变 时间 (上升 和 下降) 1.5 50 1.5 50 1.5 50 1.5 50 ns 15
optional 自 refresh
56 t
REF
refresh 间隔 (512 循环) 8 8 8 8 ms 17
57 t
RASS
ras 脉冲波 宽度 在 自 refresh 100 100 100 100
µ
s 18
58 t
RPS
ras precharge 时间 在 自 refresh 100 100 100 100
µ
s 18
59 t
CHS
cas 支撑 时间 宽度 在 自 refresh 100 100 100 100
µ
s 18
60 t
CHD
cas 低 时间 在 自 refresh 100 100 100 100
µ
s 18
# 标识 参数
35 40 45 50
单位 notesmin. 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
交流 特性
(内容’d)
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