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M48T212y, M48T212V
表格 6. 电容
(1)
(t
一个
=25
°
c, f = 1 mhz)
便条: 1. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
2. 输出 deselected.
表格 7a. 直流 特性 为 M48T212V
(t
一个
= 0 至 70
°
c; V
CC
= 3V 至 3.6v)
便条: 1. 输出 deselected.
2. RSTIN1 和 RSTIN2 内部 牵引的-向上 至 V
CC
通过 100K
Ω
电阻. WDI 内部 牵引的-向下 至 V
SS
通过 100K
Ω
电阻.
3. 为 Irq/ft &放大; RST 管脚 (打开 流).
4. Conditioned 输出 (e1
CON
-e2
CON
) 能 仅有的 支持 CMOS 泄漏 电流 在 这 电池 后面的-向上 模式. Higher 泄漏 cur-
rents 将 减少 电池 生命.
5. 外部 SRAM 必须 相一致 TIMEKEE 每 控制 碎片 V
CC
规格.
标识 参数 测试 Condition 最小值 最大值 单位
C
在
输入 电容
V
在
=0V
10 pF
C
输出
(2)
输入/output 电容
V
输出
=0V
10 pF
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
LI
(1,2)
输入 泄漏 电流 0V
≤
V
在
≤
V
CC
±
1
µ
一个
I
LO
(1)
Output 泄漏 电流
0V
≤
V
输出
≤
V
CC
±
1
µ
一个
I
CC
供应 电流 输出 打开 4 10 毫安
I
CC1
供应 电流 (standby) TTL
E=V
IH
3mA
I
CC2
供应 电流 (standby) CMOS
E=V
CC
–0.2
2mA
I
BAT
电池 电流 OSC 在 575 800 nA
电池 电流 OSC 止 100 nA
V
IL
输入 低 电压 –0.3 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2.0
V
CC
+ 0.3
V
V
OL
Output 低 电压 I
OL
= 2.1ma 0.4 V
Output 低 电压 (打开 流)
(3)
I
OL
= 10mA
0.4 V
V
OH
Output 高 电压
I
OH
= –1.0ma
2.4 V
V
OHB
(4)
V
OH
Battery 后面的-向上 I
OUT2
= –1.0
µ
一个
2.0 3.6 V
I
OUT1
(5)
V
输出
电流 (起作用的) V
OUT1
>v
CC
–0.3
70 毫安
I
OUT2
V
输出
电流 (电池 后面的-向上) V
OUT2
>v
BAT
–0.3 100
µ
一个
V
PFD
电源-失败 Deselect 电压 2.7 2.9 3.0 V
V
所以
电池 后面的-向上 Switchover 电压
V
PFD
–100mV
V
V
BAT
电池 电压
3.0 V
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