初步的
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256mb: x4, x8, x16 ddr333 sdram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
128mx4x8x16ddr333.p65–rev. 一个; pub. 10/01 ©2001, micron 技术, 公司
128mb: x4, x8, x16
ddr333 sdram 补遗
‡这个 数据 薄板 包含 这 呈现 描述 的 一个 产品 在 定义 和 非 formal 设计 在 progress.
电的 特性 和 推荐 交流 运行 情况
(注释: 1-5, 14-17, 33; 注释 呈现 在 ddr200/266 数据 sheets)
(0°C
≤
T
一个
≤
70°c; v
DD
q = +2.5v ±0.2v, v
DD
= +2.5v ±0.2v)
交流 特性 -6 (fbga) -6t (tsop) -75z
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
进入 window 的 dqs 从 ck/ck#
t
交流 -0.7 +0.7 -0.7 +0.7 -0.75 +0.75 ns
ck 高-水平的 宽度
t
CH 0.45 0.55 0.45 0.55 0.45 0.55
t
CK 30
ck 低-水平的 宽度
t
CL 0.45 0.55 0.45 0.55 0.45 0.55
t
CK 30
时钟 循环 时间 cl = 2.5
t
ck (2.5) 6 13 6 13 7.5 13 ns 45,52
cl = 2
t
ck (2) 7.5 13 7.5 13 7.5 13 ns 45,52
dq 和 dm 输入 支撑 时间 相关的 至 dqs
t
DH 0.45 0.45 0.50 ns 26,31
dq 和 dm 输入 建制 时间 相关的 至 dqs
t
DS 0.45 0.45 0.50 ns 26,31
dq 和 dm 输入 脉冲波 宽度 (为 各自 输入)
t
DIPW 1.75 1.75 1.75 ns 31
进入 window 的 dqs 从 ck/ck#
t
DQSCK -0.60 +0.60 -0.60 +0.60 -0.75 +0.75 ns
dqs 输入 高 脉冲波 宽度
t
DQSH 0.35 0.35 0.35
t
CK
dqs 输入 低 脉冲波 宽度
t
DQSL 0.35 0.35 0.35
t
CK
dqs-dq skew, dqs 至 last dq 有效的, 每 组, 每 进入
t
DQSQ 0.35 0.45 0.50 ns 25, 26
写 command 至 第一 dqs 闭锁 转变
t
DQSS 0.75 1.25 0.75 1.25 0.75 1.25
t
CK
dqs 下落 边缘 至 ck rising - 建制 时间
t
DSS 0.2 0.2 0.2
t
CK
dqs 下落 边缘 从 ck rising - 支撑 时间
t
DSH 0.2 0.2 0.2
t
CK
half 时钟 时期
t
HP
t
ch,
t
CL
t
ch,
t
CL
t
ch,
t
CL ns 34
数据-输出 高-阻抗 window 从 ck/ck#
t
HZ +0.70 +0.70 +0.75 ns 18,42
数据-输出 低-阻抗 window 从 ck/ck#
t
LZ -0.70 -0.70 -0.75 ns 18,43
地址 和 控制 输入 支撑 时间 (快 回转 比率)
t
IH
F
0.75 0.75 0.90 ns 14
地址 和 控制 输入 建制 时间 (快 回转 比率)
t
是
F
0.75 0.75 0.90 ns 14
地址 和 控制 输入 支撑 时间 (慢 回转 比率)
t
IH
S
0.80 0.80 1 ns 14
地址 和 控制 输入 建制 时间 (慢 回转 比率)
t
是
S
0.80 0.80 1 ns 14
地址 和 控制 输入 脉冲波 宽度
t
IPW 2.2 2.2 2.2 ns
加载 模式 寄存器 command 循环 时间
t
MRD 12 12 15 ns
dq-dqs 支撑, dqs 至 第一 dq 至 go 非-有效的, 每 进入
t
QH
t
HP
t
HP
t
HP ns 25, 26
-
t
QHS
-
t
QHS
-
t
QHS
数据 支撑 skew 因素
t
QHS 0.50 0.60 0.75 ns
起作用的 至 autoprecharge command
t
RAP 18 18 20 ns 46
起作用的 至 precharge command
t
RAS 42 70,000 42 70,000 40 120,000 ns 35
起作用的 至 起作用的/自动 refresh command 时期
t
RC 60 60 65 ns
自动 refresh command 时期
t
RFC 72 72 75 ns 50
起作用的 至 读 或者 写 延迟
t
RCD 18 18 20 ns
precharge command 时期
t
RP 18 18 20 ns
dqs 读 preamble
t
RPRE 0.9 1.1 0.9 1.1 0.9 1.1
t
CK 42
dqs 读 postamble
t
RPST 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6
t
CK
起作用的 bank
一个
至 起作用的 bank
b
command
t
RRD 12 12 15 ns
dqs 写 preamble
t
WPRE 0.25 0.25 0.25
t
CK
dqs 写 preamble 建制 时间
t
WPRES 0 0 0 ns 20, 21
dqs 写 postamble
t
WPST 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6
t
CK 19
写 恢复 时间
t
WR 15 15 15 ns
内部的 写 至 读 command 延迟
t
WTR 1 1 1
t
CK
数据 有效的 输出 window na
t
qh -
t
DQSQ
t
qh -
t
DQSQ
t
qh -
t
DQSQ ns 25
refresh 至 refresh command 间隔
t
REFC 140.6 140.6 140.6 µs 23
平均 periodic refresh 间隔
t
REFI 15.6 15.6 15.6 µs 23
terminating 电压 延迟 至 v
DD
t
VTD 0 0 0 ns
exit 自 refresh 至 非-读 command
t
XSNR 75 75 75 ns
exit 自 refresh 至 读 command
t
XSRD 200 200 200
t
CK
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