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资料编号:686407
 
资料名称:AD5258EVAL2
 
文件大小: 1299.65K
   
说明
 
介绍:
Nonvolatile, I2C-Compatible 64-Position, Digital Potentiometer
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
AD5258
rev. 0 | 页 5 的 24
定时 特性
V
DD
= v
逻辑
= 5 v ± 10%, 或者 3 v ± 10%; v
一个
= v
DD
; v
B
= 0 v; −40°c < t
一个
< +85°c, 除非 否则 指出.
表格 2.
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
2
c 接口 定时 特性
scl 时钟 频率 f
SCL
0 400 khz
t
BUF
总线 自由 时间 在 停止 和 开始 t
1
1.3 µs
t
hd;sta
支撑 时间 (重复的 开始) t
2
之后 这个 时期, 这 第一 时钟 脉冲波 是
发生.
0.6 µs
t
低 时期 的 scl 时钟 t
3
1.3 µs
t
高 时期 的 scl 时钟 t
4
0.6 µs
t
su;sta
建制 时间 为 重复的 开始
情况
t
5
0.6 µs
t
hd;dat
数据 支撑 时间 t
6
0 0.9 µs
t
su;dat
数据 建制 时间 t
7
100 ns
t
F
下降 时间 的 两个都 sda 和 scl 信号 t
8
300 ns
t
R
上升 时间 的 两个都 sda 和 scl 信号 t
9
300 ns
t
su;sto
建制 时间 为 停止 情况 t
10
0.6 µs
可擦可编程只读存储器 数据 storing 时间 t
eemem_store
26 ms
可擦可编程只读存储器 数据 restoring 时间 在 电源 在
1
t
eemem_restore1
V
DD
上升 时间 dependant. measure
没有 解耦电容 在 v
DD
地.
300 µs
可擦可编程只读存储器 数据 restoring 时间 在之上 restore
Command
1
t
eemem_restore2
V
DD
= 5 v. 300 µs
可擦可编程只读存储器 数据 rewritable 时间
2
t
eemem_rewrite
540 µs
flash/ee 记忆 可靠性
忍耐力
3
100 700 kcycles
数据 保持
4
100 年
1
在 电源-向上, 这 输出 是 短促地 preset 至 midscale 在之前 restoring 可擦可编程只读存储器 内容.
2
延迟 时间 之后 电源-在 preset 较早的 至 writing 新 可擦可编程只读存储器 数据.
3
忍耐力 是 qualified 至 100,000 循环 每电子元件工业联合会 标准. 22 方法 a117, 和 是 量过的在 –40°c, +25°c, 和 +85°c; 典型 endurance 在 +25°c 是 700,000 循环.
4
保持 存在期 相等的 在 接合面 温度 (t
J
) = 55°c 每 电子元件工业联合会 标准. 22, 方法 a117. 保持 存在期 based 在 一个 触发活力 的 0.6ev derates
和 接合面 温度.
05029-004
t
1
SCL
SDA
PS P
t
3
t
2
t
8
t
9
t
8
t
9
t
4
t
5
t
7
t
6
t
10
图示 4. i
2
c 接口 定时 图解
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