关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:687363
资料名称:
TC55VBM416AFTN55
文件大小: 204.08K
说明
:
介绍
:
1,048,576-WORD BY 16-BIT/2,097,152-WORD BY 8-BIT FULL CMOS STATIC RAM
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
9
10
11
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TC55VBM416AFTN55
2002-08-29 7/14
交流 测试 情况
参数 测试 情况
输入 脉冲波 水平的
0.2 v, v
DD
×
0.7 v
+
0.2 v
t
R
, t
F
1v / ns(图.1)
定时 度量
V
DD
×
0.5
涉及 水平的
V
DD
×
0.5
输出 加载
30 pf
+
1 ttl 门(图.2)
图.1
: 输入 上升 和 下降 时间
图.2
: 输出 加载
函数
标识 参数
最小值 最大值 单位
t
BS
字节
建制 时间
5
ms
t
BR
字节
恢复 时间
5
ms
定时 图解
字节
Dout
30 pf
R2
V
TM
R1
R1
=
810
Ω
R2
=
1610
Ω
V
TM
=
2.3 v
地
90%
1 v/ns
t
R
10%
90%
10%
t
F
V
DD
典型值
1 v/ns
字节
CE2
t
BS
1
CE
t
BR
字节
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com