SN74LVC125A
quadruple 总线 缓存区 门
和 3-状态 输出
scas290f – january 1993 – 修订 六月 1998
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
EPIC
(增强-效能 implanted
cmos) submicron 处理
D
静电释放 保护 超过 2000 v 每
mil-标准-883, 方法 3015; 超过 200 v
使用 机器 模型 (c = 200 pf, r = 0)
D
获得-向上 效能 超过 250 毫安 每
jesd 17
D
典型 v
OLP
(输出 地面 bounce)
< 0.8 v 在 v
CC
= 3.3 v, t
一个
= 25
°
C
D
典型 v
OHV
(输出 v
OH
undershoot)
> 2 v 在 v
CC
= 3.3 v, t
一个
= 25
°
C
D
输入 接受 电压 至 5.5 v
D
包装 选项 包含 塑料
小-外形 (d), shrink 小-外形
(db), 和 薄的 shrink 小-外形 (pw)
包装
描述
这个 quadruple 总线 缓存区 门 是 设计 为 1.65-v 至 3.6-v v
CC
运作.
这 sn74lvc125a 特性 独立 线条 驱动器 和 3-状态 输出. 各自 输出 是 无能 当 这
有关联的 输出-使能 (oe
) 输入 是 高.
至 确保 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下, oe
应当 是 系 至 v
CC
通过 一个 pullup
电阻; 这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sinking 能力 的 这 驱动器.
输入 能 是 驱动 从 也 3.3-v 或者 5-v 设备. 这个 特性 准许 这 使用 的 这些 设备 作 翻译
在 一个 mixed 3.3-v/5-v 系统 环境.
这 sn74lvc125a 是 典型 为 运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
函数 表格
(各自 缓存区)
输入
输出
OE 一个
Y
L H H
L LL
HXZ
版权
1998, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
epic 是 一个 商标 的 德州 器械 组成公司的.
d, db, 或者 pw 包装
(顶 视图)
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
1OE
1A
1Y
2OE
2A
2Y
地
V
CC
4OE
4A
4Y
3OE
3A
3Y
: 点此下载
