应用 信息
(持续)
电流. 因此, 它 是 推荐 那 V
BOOST
是
更好 比 2.5v 在之上 V
SW
为 最好的 效率. V
BOOST
–
V
SW
应当 不 超过 这 最大 运行 限制 的 5.5v.
5.5v
>
V
BOOST
–V
SW
>
2.5v 为 最好的 效能.
当 这 LM2734 开始 向上, 内部的 电路系统 从 这
BOOST 管脚 供应 一个 最大 的 20mA 至 C
BOOST
. 这个
电流 charges C
BOOST
至 一个 电压 sufficient 至 转变 这
转变 在. 这 BOOST 管脚 将 continue 至 源 电流 至
C
BOOST
直到 这 电压 在 这 反馈 管脚 是 更好 比
0.76v.
那里 是 各种各样的 方法 至 derive V
BOOST
:
1. 从 这 输入 电压 (v
在
)
2. 从 这 输出 电压 (v
输出
)
3. 从 一个 外部 distributed 电压 栏杆 (v
EXT
)
4. 从 一个 调往 或者 序列 齐纳 二极管
在 这 Simplifed 块 图解 的
图示 1
, 电容
C
BOOST
和 二极管 D2 供应 这 门-驱动 电流 为 这
NMOS 转变. 电容 C
BOOST
是 charged 通过 二极管 D2 用
V
在
. 在 一个 正常的 切换 循环, 当 这 内部的
NMOS 控制 转变 是 止 (t
止
) (谈及 至
图示 2
), V
BOOST
相等 V
在
minus 这 向前 电压 的 D2 (v
FD2
), 在
这个 这 电流 在 这 inductor (l) 向前 biases 这
肖特基 二极管 D1 (v
FD1
). 因此 这 电压 贮存
横过 C
BOOST
是
V
BOOST
-v
SW
=V
在
-v
FD2
+V
FD1
当 这 NMOS 转变 转变 在 (t
在
), 这 转变 管脚 rises
至
V
SW
=V
在
–(r
DSON
xI
L
),
forcing V
BOOST
至 上升 因此 反转 偏置 d2. 这 电压
在 V
BOOST
是 然后
V
BOOST
=2V
在
–(r
DSON
xI
L
)–v
FD2
+V
FD1
这个 是 大概
2V
在
- 0.4v
为 许多 产品. 因此 这 门-驱动 电压 的 这
NMOS 转变 是 大概
V
在
- 0.2v
一个 alternate 方法 为 charging C
BOOST
是 至 连接 D2 至
这 输出 作 显示 在
图示 3
. 这 输出 电压 应当
是 在 2.5v 和 5.5v, 所以 那 恰当的 门 电压 将
是 应用 至 这 内部的 转变. 在 这个 电路, C
BOOST
提供 一个 门 驱动 电压 那 是 slightly 较少 比 V
输出
.
在 产品 在哪里 两个都 V
在
和 V
输出
是 更好 比
5.5v, 或者 较少 比 3v, C
BOOST
不能 是 charged 直接地
从 这些 电压. 如果 V
在
和 V
输出
是 更好 比 5.5v,
C
BOOST
能 是 charged 从 V
在
或者 V
输出
minus 一个 齐纳
电压 用 放置 一个 齐纳 二极管 D3 在 序列 和 d2, 作
显示 在
图示 4
. 当 使用 一个 序列 齐纳 二极管 从 这
输入, 确保 那 这 规章制度 的 这 输入 供应 doesn’t
create 一个 电压 那 falls 外部 这 推荐 V
BOOST
电压.
(v
INMAX
–V
D3
)
<
5.5v
(v
INMIN
–V
D3
)
>
1.6v
一个 alternative 方法 是 至 放置 这 齐纳 二极管 D3 在 一个
调往 配置 作 显示 在
图示 5
. 一个 小 350mW 至
500mW 5.1v 齐纳 在 一个 sot-23 或者 SOD 包装 能 是
使用 为 这个 目的. 一个 小 陶瓷的 电容 此类 作 一个
6.3v, 0.1µf 电容 (c4) 应当 是 放置 在 并行的 和
这 齐纳 二极管. 当 这 内部的 NMOS 转变 转变 在, 一个
脉冲波 的 电流 是 描绘 至 承担 这 内部的 NMOS 门
电容. 这 0.1 µF 并行的 调往 电容 确保
那 这 V
BOOST
电压 是 maintained 在 这个 时间.
电阻 R3 应当 是 选择 至 提供 足够的 RMS cur-
rent 至 这 齐纳 二极管 (d3) 和 至 这 BOOST 管脚. 一个
推荐 选择 为 这 齐纳 电流 (i
齐纳
)is1ma.
这 电流 I
BOOST
在 这 BOOST 管脚 供应 这 门
电流 的 这 NMOS 控制 转变 和 varies 典型地
符合 至 这 下列的 formula:
I
BOOST
= 0.56 x (d + 0.54) x (v
齐纳
–V
D2
)毫安
在哪里 D 是 这 职责 循环, V
齐纳
和 V
D2
是 在 伏特, 和
I
BOOST
是 在 milliamps. V
齐纳
是 这 电压 应用 至 这
anode 的 这 boost 二极管 (d2), 和 V
D2
是 这 平均
向前 电压 横过 d2. 便条 那 这个 formula 为 I
BOOST
给 典型 电流. 为 这 worst 情况 I
BOOST
, 增加 这
电流 用 40%. 在 那 情况, 这 worst 情况 boost 电流
将 是
I
boost-最大值
=1.4xi
BOOST
R3 将 然后 是 给 用
r3=(v
在
-v
齐纳
)/(1.4xi
BOOST
+I
齐纳
)
为 例子, let V
在
= 10v, V
齐纳
=5v,v
D2
= 0.7v, I
齐纳
= 1ma, 和 职责 循环 D = 50%. 然后
I
BOOST
= 0.56 x (0.5 + 0.54) x (5 - 0.7) 毫安 = 2.5ma
R3 = (10v - 5v) / (1.4 x 2.5ma + 1ma) = 1.11k
Ω
20102308
图示 3. V
输出
Charges C
BOOST
20102309
图示 4. 齐纳 减少 Boost 电压 从 V
在
LM2734
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