slls505f − 二月 2002 − 修订 十一月 2003
www.德州仪器.com
2
这些设备 有 限制 建造-在 静电释放 保护. 这 leads 应当 是 短接 一起 或者 这 设备 放置 在 传导性的 foam 在
存储 或者处理 至 阻止 静电的 损坏 至 这 mos 门.
订货 信息
signaling 比率 单位 负载 T
一个
包装
soic 标记signaling 比率 单位 负载 T
一个
SOIC
(1)
PDIP
soic 标记
25 mbps 1/2 SN65HVD10D SN65HVD10P VP10
10 mbps 1/8
−40
°
c 至 85
°
C
SN65HVD11D SN65HVD11P VP11
1 mbps 1/8
−40 c 至 85 C
SN65HVD12D SN65HVD12P VP12
25 mbps 1/2 SN75HVD10D SN75HVD10P VN10
10 mbps 1/8
−0
°
c 至 70
°
C
SN75HVD11D SN75HVD11P VN11
1 mbps 1/8
−0 c 至 70 C
SN75HVD12D SN75HVD12P VN12
25 mbps 1/2
−40
°
c 至 125
°
C
SN65HVD10QD SN65HVD10QP VP10Q
10 mbps 1/8
−40
°
c 至 125
°
C
SN65HVD11QD SN65HVD11QP VP11Q
(1)
这 d 包装 是 有 带子系紧 和 卷盘. 增加 一个 r 后缀 至 这 部分 号码 (i.e., sn75hvd11dr).
绝对 最大 比率
在 operating 自由-空气 温度 范围 除非 否则 指出
(1)
(2)
sn65hvd10, sn75hvd10
sn65hvd11,SN75HVD11
sn65hvd12, sn75hvd12
供应 电压 范围, v
CC
−0.3 v 至 6 v
电压 范围 在 一个 或者 b −9 v 至 14 v
输入 电压 范围 在 d, de, r 或者 re −0.5 v 至 v
CC
+ 0.5 v
电压 输入 范围, 瞬时 脉冲波, 一个 和 b, 通过 100
Ω
(看 图示 11) −50 v 至 50 v
人 身体 模型
(3)
一个, b 和 地 16 kv
静电的 释放
人 身体 模型
(3)
所有 管脚 4 kv
静电的 释放
charged-设备 模型
(4)
所有 管脚 承担 1 kv
持续的 总的 电源 消耗 看 dissipation 比率表格
接合面 温度, t
J
170
°
C
存储 温度 范围, t
stg
−65
°
c 至 150
°
C
含铅的 温度 1,6 mm (1/16 inch) 从 情况 为 10 秒 260
°
C
(1)
压力在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的, 一个nd
函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何其它 情况 在之外 那些 表明 下面“recommended 运行 conditions” 是 不
暗指.暴露 至 绝对-最大-评估 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
(2)
所有 电压 值, 除了 差别的 i/o 总线 电压, 是 和 遵守 至 网络 地面 终端.
(3)
测试 在 一致 和 电子元件工业联合会 标准 22, 测试 方法 a114-一个.
(4)
测试 在 一致 和 电子元件工业联合会 标准 22, 测试 方法 c101.
包装 消耗 比率
包装
T
一个
≤
25
°
C
电源 比率
减额 因素
(1)
在之上 t
一个
= 25
°
C
T
一个
= 70
°
C
电源 比率
T
一个
= 85
°
C
电源 比率
T
一个
= 125
°
C
电源 比率
D
(2)
597 mw 4.97 mw/
°
C 373 mw 298 mw 100 mw
D
(3)
990 mw 8.26 mw/
°
C 620 mw 496 mw 165 mw
P 1290 mw 10.75 mw/
°
C 806 mw 645 mw 215 mw
(1)
这个 是 这 inverse 的 这 接合面-至-包围的 热的 阻抗 当 板-挂载 和 和 非 空气 流动.
(2)
测试 在 一致 和 这 低-k 热的 metric 定义 的 eia/jesd51−3.
(3)
测试 在 一致 和 这 高-k 热的 metric 定义 的 eia/jesd51−7.
: 点此下载
