MB84VD23381FJ_集成电路资料查询网

ds05-50304-3e
fujitsu 半导体
数据SHEET
stacked mcp (multi-碎片 包装) flash 记忆 &放大; fcram
CMOS
64 m (
×
××
×
16) flash 记忆 &放大;
16 m (
×
××
×
16) mobile fcram
TM
MB84VD23381FJ
-80
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特性
•
电源 供应 电压 的 2.7 v
至
3.1 v
•
高 效能
70 ns 最大 进入 时间 (flash)
80 ns 最大 进入 时间 (fcram)
•
运行 温度
−
30
°
c 至
+
85
°
C
•
包装 65
-
球 fbga
(持续)
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产品 阵容
*: 两个都 v
CC
f 和 v
CC
r 必须 是 这 一样 水平的 当 也 部分 是 正在 accessed.
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PAC K 一个G E
flash 记忆 FCRAM
电源 供应 电压 ( v ) V
CC
f*
=
2.7 v 至 3.1 v V
CC
r*
=
2.7 v 至 3.1 v
最大值 地址 进入 时间 (ns) 70 80
最大值 ce
进入 时间 (ns) 70 80
最大值 oe
进入 时间 (ns) 30 40
65-球 塑料 fbga
(bga-65p-m01)

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ds05-50304-3e fujitsu 半导体数据SHEET stacked mcp (multi-碎片包装) flash 记忆 &放大; fcram CMOS 64 m ( × ×× × 16) flash 记忆 &放大; 16 m ( × ×× × 16) mobile fcram TM MB84VD23381FJ -80 ■ ■■ ■ 特性 • 电源供应电压的 2.7 v 至 3.1 v • 高效能 70 ns 最大进入时间 (flash) 80 ns 最大进入时间 (fcram) • 运行温度 − 30 ° c 至 + 85 ° C • 包装 65 - 球 fbga (持续) ■ ■■ ■ 产品阵容 : 两个都 v CC f 和 v CC r 必须是这一样水平的当也部分是正在 accessed. ■ ■■ ■ PAC K 一个G E flash 记忆 FCRAM 电源供应电压 ( v ) V CC f = 2.7 v 至 3.1 v V CC r* = 2.7 v 至 3.1 v 最大值地址进入时间 (ns) 70 80 最大值 ce 进入时间 (ns) 70 80 最大值 oe 进入时间 (ns) 30 40 65-球塑料 fbga (bga-65p-m01)

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