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资料编号:692197
 
资料名称:MC33152VDR2
 
文件大小: 151.08K
   
说明
 
介绍:
HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS
 
 


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mc34152, mc33152, ncv33152
http://onsemi.com
9
输出 加载 规章制度
I
O
(毫安) +V
O
(v) −V
O
(v)
0 27.7 −13.3
1.0 27.4 −12.9
10 26.4 −11.9
20 25.5 −11.2
30 24.6 −10.5
50 22.6 −9.4
图示 23. 控制 场效应晶体管 驱动 图示 24. 双极 晶体管 驱动
在 噪音 敏感的 产品, 两个都 安排 和 radiated emi 能
是 减少 significantly 用 controlling 这 场效应晶体管’s turn−on 和
turn−off 时间.
这 totem−pole 输出 能 furnish 负的 根基 电流 为
增强 晶体管 turn−off, 和 这 增加 的 电容 c
1
.
V
100k
R
g(止)
R
g(在)
根基
承担
除去
V
I
B
100k
C
1
+
0
图示 25. 双 承担 打气 转换器
这 电容’s 相等的 序列 阻抗 限制 这 驱动 输出 电流 至 1.5 一个. 一个
额外的 序列 电阻 将 是 必需的 当 使用 tantalum 或者 其它 低 等效串联电阻 电容.
+
V
CC
= 15v
6
2
4
3
5
7
+
5.7v
+
+
+
100k 100k
V
CC
10k
100k
330
pF
47 0.1
6.8 10
6.8 10
1N5819
1N5819
47
47
+
+
+ v
O
2 .0v
CC
− v
O
−V
CC
2N3904
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