sn65lvdt14, sn65lvdt41
SLLS530
–
april 2002
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2
典型 记忆 stick 接口 extension
1Y
1Z
1D
1A
1B
5Y
5Z
1R
5D
2Y
2Z
2D
2A
2B
2R
3Y
3Z
3D
3A
3B
3R
4Y
4Z
4D
4A
4B
4R
5A
5B
5R
SCLK
BS
DIR
SD1
SD2
CBT
SCLK
BS
SDIO
记忆
Stick
CBT
SCLK
BS
SDIO
DIR
记忆
Stick
Host
控制
SN65LVDT41 SN65LVDT14
这些 设备 有 限制 建造-在 静电释放 保护. 这 leads 应当 是 短接 一起 或者 这 设备 放置 在 传导性的 foam 在
存储 或者 处理 至 阻止 静电的 损坏 至 这 mos 门.
绝对 最大 比率
在 运行 自由-空气 温度 范围 除非 否则 指出
(1)
sn65lvdt14,
SN65LVDT41
单位
供应 电压 范围
(2)
V
CC
–
0.5 至 4 V
输入 电压 范围
d 或者 r
–
0.5 至 6 V
输入 电压 范围
一个, b, y, 或者 z
–
0.5 至 4 V
人 身体 模型
(3)
, 一个, b, y, z, 和 地
±
16 KV
静电的 释放
人 身体 模型
(3)
, 所有 管脚
±
8 KV
静电的 释放
charged 设备 模型
(4)
, 所有 管脚
±
500 V
持续的 总的 电源 消耗 看 消耗 比率 表格
存储 温度 范围
–
65 至 150
°
C
含铅的 温度 1,6 mm (1/16 inch) 从 情况 为 10 秒 260
°
C
(1)
压力 在之外 那些 列表 下面
“
绝对 最大 比率
”
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的, 和
函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 下面
“
推荐 运行 情况
”
是 不
暗指. 暴露 至 绝对-最大-评估 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
(2)
所有 电压 值, 除了 差别的 i/o 总线 电压 是 和 遵守 至 网络 地面 终端.
(3)
测试 在 一致 和 电子元件工业联合会 标准 22, 测试 方法 a114
–
一个.
(4)
测试 在 一致 和 电子元件工业联合会 标准 22, 测试 方法 c101.
包装 消耗 比率
包装
T
一个
<25
°
C
电源 比率
运行 因素
在之上 t
一个
= 25
°
C
T
一个
= 85
°
C
电源 比率
PW 774 mw 6.2 mw/
°
C 402 mw
推荐 运行 情况
最小值 NOM 最大值 单位
供应 电压, v
CC
3 3.3 3.6 V
高-水平的 输入 电压, v
IH
2 V
低-水平的 输入 电压, v
IL
0.8 V
巨大 的 差别的 输入 电压,
V
ID
0.1 0.6 V
一般模式 输入 电压, v
IC
(看 图示 1)
V
ID
2
2.4
V
ID
2
V
V
CC
–
0.8 V
运行 自由-空气 温度, t
一个
–
40 85
°
C
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