sud50n02-09p
vishay siliconix
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2
文档 号码: 72034
s-41168—rev. c, 14-六月-04
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
流-源损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个
20
V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 0.8 3.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v 1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C 50
一个
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 10 v 50 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 20 一个 0.008 0.0095
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 20 一个, t
J
= 125
C 0.014
流 源 在 状态 阻抗 r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 20 一个 0.0135 0.017
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 20 一个 15 S
动态
一个
输入 电容 C
iss
1300
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 10 v, f = 1 mhz
470 pF
反转 转移 电容 C
rss
275
p
总的 门 承担
c
Q
g
10.5 16
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
= 10 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 50 一个
4.2
nC
门-流 承担
c
Q
gd
V
DS
10 v,
V
GS
4.5 v, i
D
50 一个
4.0
nC
门 阻抗 R
g
1.6 4.0 6
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
8 12
上升 时间
c
t
r
V
DD
= 10 v, r
L
= 0.2
10 15
ns
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
V
DD
= 10 v,R
L
= 0.2
I
D
50 一个, v
GEN
= 10 v, r
g
= 2.5
25 40
ns
下降 时间
c
t
f
g
12 20
源-流 二极管比率 和 典型的 (t
C
= 25
c)
搏动 电流 I
SM
100 一个
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
F
= 50 一个, v
GS
= 0 v 1.2 1.5 V
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 50 一个, di/dt = 100 一个/
s 35 70 ns
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
c. 独立的 运行 温度.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
20
40
60
80
100
0246810
0
20
40
60
80
100
0123456
输出特性 转移 特性
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
25
C
125
C
T
C
=
−
55
C
V
GS
= 10 thru 6 v
3 v
4 v
5 v
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