CY62256VLL-70ZC_集成电路资料查询网

CY62256V
文档 #: 38-05057 rev. *d 页 8 的 13
注释:
14. 地址 有效的 较早的 至 或者 coincident 和 ce
转变 低.
15. 数据 i/o 是 高 阻抗 如果 oe= v
IH
.
16. 如果 ce
变得 高 同时发生地 和 我们高, 这 输出 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态.
17. 在 这个 时期, 这 i/os 是 在 输出状态 和 输入 信号 应当 不 是 应用.
切换 波形
(持续)
写 循环 非. 2 (ce 控制)
t
WC
t
AW
t
SA
t
HA
t
HD
t
SD
t
SCE
我们
数据 i/o
地址
CE
数据
在
有效的
[10, 15, 16]
写 循环 非. 3 (我们 控制, OE 低)
数据 i/o
地址
t
HD
t
SD
t
LZWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
WC
t
HZWE
数据
在
有效的
[11, 16]
便条 17
我们
CE

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CY62256V 文档 #: 38-05057 rev. *d 页 8 的 13 注释: 14. 地址有效的较早的至或者 coincident 和 ce 转变低. 15. 数据 i/o 是高阻抗如果 oe= v IH . 16. 如果 ce 变得高同时发生地和我们高, 这输出仍然是在一个高-阻抗状态. 17. 在这个时期, 这 i/os 是在输出状态和输入信号应当不是应用. 切换波形 (持续) 写循环非. 2 (ce 控制) t WC t AW t SA t HA t HD t SD t SCE 我们数据 i/o 地址 CE 数据在有效的 [10, 15, 16] 写循环非. 3 (我们控制, OE 低) 数据 i/o 地址 t HD t SD t LZWE t SA t HA t AW t WC t HZWE 数据在有效的 [11, 16] 便条 17 我们 CE

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