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资料编号:693780
 
资料名称:CY62256VLL-70ZRI
 
文件大小: 316.03K
   
说明
 
介绍:
32K x 8 Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY62256V
文档 #: 38-05057 rev. *d 页 5 的 13
数据 保持 特性
(在 这 运行 范围)
参数 描述 情况
[6]
最小值 典型值
[2]
最大值 单位
V
DR
V
CC
为 数据 保持 1.4 V
I
CCDR
数据 保持 电流 V
CC
= 1.6v, ce> v
CC
– 0.3v,
V
> v
CC
– 0.3v 或者 v
<0.3v
Com’l 0.1 3
µ
一个
Ind’l 6
自动 50
t
CDR
[6]
碎片 deselect 至 数据
保持 时间
0ns
t
R
[6]
运作 恢复 时间 t
RC
ns
数据 保持 波形
注释:
6. 非 输入 将 超过 v
CC
+ 0.3v.
1.8v1.8v
t
CDR
V
DR
> 1.4v
数据 保持 模式
t
R
CE
V
CC
热的 阻抗
参数 描述 测试 情况 SOIC TSOPI RTSOPI 单位
Θ
JA
热的 阻抗
(接合面 至 包围的)
[6]
安静的 空气, 焊接 在 一个 3 × 4.5 inch,
四-layer 打印 电路 板
68.45 87.62 87.62
°
c/w
Θ
JC
热的 阻抗
(接合面 至 情况)
[5]
26.94 23.73 23.73
°
c/w
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