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这 等式 governing 这 dead-时间 seen 在 图示 5 是
表示 作:
这 等式 能 是 rewritten 至 solve 为 r
延迟
作
跟随:
内部的 自举 二极管
这个 驱动器 特性 一个 内部的 自举 肖特基 二极管.
simply adding 一个 外部 电容 横过 这 激励 和
阶段 管脚 完成 这 自举 电路.
这 自举 电容 必须 有 一个 最大 电压
比率 在之上 这 最大 电池 电压 加 5v. 这
自举 电容 能 是 选择 从 这 下列的
等式:
在哪里 q
门
是 这 数量 的 门 承担 必需的 至 全部地
承担 这 门 的 这 upper 场效应晶体管. 这
∆
V
激励
期 是
定义 作 这 容许的 droop 在这 栏杆 的 这 upper 驱动.
作 一个 例子, 假定 一个 upper 场效应晶体管 有 一个 门
承担, q
门
, 的 25nc 在 5v 和 也 假设 这 droop 在
这 驱动 电压 在 一个 pwm 循环 是 200mv. 一个 将 find
那 一个 自举 电容 的 在 least 0.125
µ
f 是 必需的.
这 next 大 标准 值 电容 是 0.22
µ
f.一个
好的 质量 陶瓷的 电容 是 推荐.
图示 4. 可编程序的 dead-时间: 总的 延迟 = t
PDHUGATE
+ t
延迟
1V
1V
延迟 = vcc
延迟 = 电阻 至 地面
t
延迟
= 5n - 50ns
门 一个
门 b
门 一个
门 b
t
PDHUGATE
dead-时间 (ns)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
050 200100 150 250 300
R
延迟
(k
Ω
)
t
延迟
图示 5.
额外的 编写程序 dead-时间
(
t
延迟
)
vs 延迟 电阻 值
T
延迟
160
(
10
15
–
)
R
延迟
××[]
6ns
+=
R
延迟
T
延迟
6ns
–
()
160 10
15
–
×
--------------------------------------------=
C
激励
Q
门
∆
V
激励
------------------------
≥
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
∆
V
激励
(v)
50nC
20nC
Q
门
= 100nc
图示 6. 自举 电容 vs 激励 波纹
电压
C
激励
(
µ
f)
ISL6209
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