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资料编号:695462
 
资料名称:VN0104
 
文件大小: 476.38K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
 
 


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4
1235 bordeaux 驱动, sunnyvale, ca 94089
电话: (408) 744-0100 • 传真: (408) 222-4895
www.supertex.com
11/12/01
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vn0104/vn0106
Typical 效能 曲线
C
门 驱动 动态 特性
Q
G
(nanocoulombs)
V
GS
(伏特)
T
j
(
°
c)
V
gs(th)
(normalized)
ds(在)
R (normalized)
V
(th)
和 r
DS
变化 和 温度
在-阻抗 vs. 流 电流
R
ds(在)
(ohms)
转移 特性
V
GS
(伏特)
I
D
(amperes)
电容 vs. 流-至-源 电压
100
c (picofarads)
V
DS
(伏特)
I
D
(amperes)
010203040
75
50
25
0246810
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
-50 0 50 100 150
1.1
1.0
0.9
0
0 2.51.0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
10
8
6
4
2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
-50 0 50 100 150
V
DS
= 10v
V
(th)
@ 1ma
R
DS
@ 10v, 1.0a
0.5 1.5 2.0
1.0
2.0
3.0
5.0
4.0
0
0
40 pf
40V
80 pf
0
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
f = 1mhz
R
DS
@ 5v, 0.25a
BV
DSS
变化 和 温度
BV
DSS
(normalized)
T
j
(
°
c)
V
DS
= 25v
T
一个
= -55
°
C
25
°
C
125
°
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 5v
V
GS
= 10v
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