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资料编号:695838
 
资料名称:VNP5N07
 
文件大小: 132.12K
   
说明
 
介绍:
”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
正常的 运作, 输入 管脚
用电气 连接 内部的
电源 场效应晶体管. 设备 然后 behaves 一个
标准 电源 场效应晶体管 使用 一个
转变 直流 50 khz. 仅有的 区别
user’s standpoint 一个 直流
电流 (i
iss
) flows 输入 p 顺序
供应 内部的 电路系统.
设备 integrates:
-
超(电)压 CLAMP 保护:
内部 设置 70v, along 坚毅的
avalanche 特性 电源
场效应晶体管 平台 这个 设备 unrivalled
强壮 活力 处理 能力.
这个 特性 mainly 重要的 驱动
inductive 负载.
-
直线的 电流 LIMITER 电路: 限制
电流 Id Ilim whatever 输入
管脚 电压. 电流 limiter 起作用的,
设备 运作 直线的 区域, 所以
电源 消耗 超过 能力
散热器. 两个都 情况 接合面
温度 增加, 如果 这个 阶段 lasts
足够的, 接合面 温度 reach
overtemperature 门槛 T
jsh
.
-
OVERTEMPERATURE 短的 电路
保护: 这些 一个re 为基础 感觉到
碎片 温度 依赖
输入 电压. location 感觉到
元素 碎片 电源 平台 范围
确保 快, 精确 发现 接合面
温度. Overtemperature cutout occurs
最小 150
o
c. 设备 一个utomatically
restarted 碎片 温度 falls
在下 135
o
c.
-
状态 反馈: 情况 一个
overtemperature 故障 情况, 一个 状态
反馈 提供 通过 输入 管脚.
内部的 保护 电路 disconnects
输入 connects instead
地面 通过 一个 相等的 阻抗 of 100
.
失败 发现 monitoring
电压 输入 管脚, 这个 关闭
地面 潜在的.
额外的 特性 这个 设备 静电释放
保护 符合 身体 模型
能力 驱动 一个 TTL 逻辑
电路 (和 一个 增加 R
ds(在)
).
保护 特性
VNP5N07
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