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资料编号:695883
 
资料名称:VNW50N04A
 
文件大小: 126.06K
   
说明
 
介绍:
”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
 
 


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绝对 最大 比率
标识 参数 单位
V
DS
流-源 电压 (v
= 0) Internally Clamped V
V
输入 Voltage 18 V
I
D
电流 内部 限制 一个
I
R
Reverse 直流 Output 电流 -100 一个
V
静电释放
静电的 Discharge (c= 100 pF, r=1.5 K
) 2000 V
P
tot
总的 Dissipation T
c
=25
o
C 208 W
T
j
运行 接合面 Temperature Internally 限制ed
o
C
T
c
Case Oating Temperature Internally 限制ed
o
C
T
st g
Storage Temperature -55 150
o
C
热的 数据
R
thj-情况
R
t hj- 一个mb
热的 阻抗 接合面-情况 最大值
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值
0.6
30
o
c/w
o
c/w
电的 特性
(t
情况
=25
o
C 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CLAMP
流-源 Clamp
电压
I
D
=18A V
= 0 36 42 48 V
V
CL TH
流-源 Clamp
门槛 Voltage
I
D
=2mA V
=0 35 V
V
INCL
输入-源 反转
Clamp Voltage
I
=-1ma -1 -0.3 V
I
DSS
输入 Voltage
电流 (v
=0)
V
DS
=13V V
=0
V
DS
=25V V
=0
50
200
µ
一个
µ
一个
I
ISS
供应 电流 from
输入 管脚
V
DS
=0V V
= 10 V 250 500
µ
一个
(
)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
在(th)
输入 Threshold
电压
V
DS
=V
I
D
+Ii
n
=1mA 0.8 3 V
R
ds(在)
Static 流-source
阻抗
V
=10V I
D
=25A
V
=5V I
D
=25A
0.012
0.015
动态
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(
)向前
Transconductance
V
DS
=13V I
D
=25A 35 50 S
C
oss
输出 Capacitance V
DS
=13V f=1MHz V
= 0 2000 3000 pF
VNW50N04A
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