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资料编号:695891
 
资料名称:VP0610L
 
文件大小: 62.88K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
tp0610l/t, vp0610l/t, bs250
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档号码: 70209
s-41260—rev.h, 05-jul-04
规格 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
限制
tp0610l/t vp0610l/t BS250
参数 标识 测试 情况
Typ
一个
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
静态的
流-源
V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
=
10
一个
70
60
60
损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
=
100
一个
45
V
门-门槛
电压
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
1 毫安
1.9
1
2.4
1
3.5
1
3.5
V
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
10
10
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v, t
J
= 125
C
50
nAyg
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
15 v
20
G
V
DS
=
48 v, v
GS
= 0 v
1
1
零 门电压
流 电流
I
DSS
V
DS
=
48 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C
200
200
一个
流 电流
DSS
V
DS
=
25 v, v
GS
= 0 v
0.5
OS
V
DS
=
10 v, v
GS
=
4.5 v
180
50
在-状态 流
电流
b
I
d(在)
V
DS
= 10 v V
GS
= 10 v
l 后缀
750
600
毫安
电流
b
d(在)
V
DS
=
10 v, v
GS
=
10 v
t 后缀
220
V
GS
=
4.5 v, i
D
=
25 毫安 11 25
流-源
r
ds( )
V
GS
=
10 v, i
D
=
0.5 一个 l 后缀 8 10 10
流-源
在-阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
=
10 v, i
D
=
0.5 一个, t
J
= 125
C
l 后缀 15 20 20
V
GS
=
10 v, i
D
=
0.2 一个 t 后缀 6.5 10 10 14
向前
g
f
V
DS
=
10 v, i
D
=
0.5 一个 l 后缀 20 80
mS
向前
跨导
b
g
fs
V
DS
=
10 v, i
D
=
0.1 一个 t 后缀 90 60 70
mS
二极管 向前
电压
V
SD
I
S
=
0.5 一个, v
GS
= 0 v
1.1 V
动态
输入 电容 C
iss
15 60 60
输出 电容 C
oss
V
DS
=
25 v, v
GS
= 0 v
f = 1 mhz
10 25 25
pF
反转 transfer
电容
C
rss
f = 1 mhz
3 5 5
pF
切换
c
转变-在 时间 t
V
DD
=
25 v, r
L
= 133
8 10
ns
转变-止 时间 t
V
DD
= 25 v,R
L
= 133
I
D
0.18 一个, v
GEN
=
10 v, r
g
= 25
8 10
ns
注释
一个. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试. VPDS06
b. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
c. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
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