vp2020l, bss92
vishay siliconix
文档 号码: 70210
s-04279
—
rev. e, 16-六月-01
www.vishay.com
11-3
20
0
–
4
–
8
–
12
–
16
–
20
18
16
14
12
10
8
–
100
–
80
–
60
0
0
–
1
–
5
–
40
–
20
–
2
–
3
–
4
–
500
0
–
1
–
2
–
3
–
4
–
5
–
400
–
300
–
200
–
100
0
ohmic 区域 特性 输出 特性 为 低 门 驱动
在-阻抗
normalized 在-阻抗
vs. 接合面 温度
转移 特性 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
V
GS
–
门-源 电压 (v) V
GS
–
门-源 电压 (v)
V
DS
–
流-至-源 电压 (v) V
DS
–
流-至-源 电压 (v)
V
GS
=
–
10 v
–
5 v
–
6 v
–
55
C
T
J
= 125
C
V
DS
=
–
15 v
–
0.02 一个
I
D
=
–
0.1 一个
T
J
–
接合面 温度 (
c)
–
4.5 v
–
4 v
–
3 v
–
100
0
–
0.4
–
0.8
–
1.2
–
1.6
–
2.0
–
80
–
60
–
40
–
20
0
V
GS
=
–
4 v
–
3.6 v
–
3 v
–
2 v
V
GS
–
门-源 电压 (v)
–
0.05 一个
25
20
15
0
0
–
50
–
250
10
5
–
100
–
150
–
200
V
GS
=
–
4.5 v
–
10 v
2.25
2.00
1.75
0.50
–
50
–
10 150
1.50
1.25
30 70 110
1.00
0.75
V
GS
=
–
4.5 v
I
D
=
–
0.1 一个
25
C
I
D
–
流 电流 (毫安)
I
D
–
流 电流 (毫安)
I
D
–
流 电流 (毫安)
r
ds(在)
–
在-阻抗 (
Ω )
r
ds(在)
–
流-源 在-阻抗 (
Ω )
r
ds(在)
–
流-源 在-阻抗 (
Ω )
(
normalized)
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