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vub 120 / 160
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ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况 和 维度.
I
R
V
R
= v
RRM
,t
VJ
= 25°c 0.3 毫安
V
R
= v
RRM
,t
VJ
= 150°c 5 毫安
V
F
I
F
= 150 一个, T
VJ
= 25°C 1.46 V
V
T0
为 电源-丧失 calculations 仅有的 0.87 V
r
T
T
VJ
= 150°c 4.0 m
Ω
R
thJC
每 二极管 0.6 k/w
R
thCH
0.2 k/w
V
br(ces)
V
GS
= 0 v, i
C
= 1 毫安 1200 V
V
ge(th)
I
C
= 4 毫安 4.5 6.5 V
I
CES
V
CE
= 1200 v, T
VJ
=
25°C 0.2 毫安
T
VJ
=
125°C 1 毫安
V
CEsat
V
GE
= 15 v, I
C
= 50 一个
vub 120
2.1 V
I
C
= 75 一个
vub 160
2.2 V
t
SC
V
GE
= 15 v, v
CE
= 900 v, t
VJ
=
125°c, 10 µs
(scsoa)
R
G
= 15/10
Ω,
非 repetitive
RBSOA
V
GE
= 15 v, v
CE
= 1200 v, t
VJ
=
125°c,
clamped inductive 加载, l = 100 µh
R
G
= 15
Ω
vub 120
150 一个
R
G
= 10
Ω
vub 160
200 一个
C
ies
V
CE
= 25 v, f = 1 mhz, v
GE
= 0 v
vub 120
5.7 nF
vub 160
7.4 nF
t
d(在)
vub 120
170 ns
t
d(在)
vub 160
330 ns
t
d(止)
vub 120
680 ns
t
d(止)
vub 160
750 ns
E
在
vub 120
11 mJ
vub 160
12 mJ
E
止
vub 120
8mJ
vub 160
10 mJ
R
thJC
vub 120
0.22 k/w
vub 160
0.18 k/w
R
thCH
vub 120
0.1 k/w
vub 160
0.1 k/w
I
R
V
R
= v
RRM
,t
VJ
= 25°c 0.5 毫安
T
VJ
= 125°c 0.75 1 毫安
V
F
I
F
= 30 一个, T
VJ
= 25°C 2.7 V
V
T0
为 电源-丧失 calculations 仅有的 1.3 V
r
T
T
VJ
= 150°c 15 m
Ω
I
RM
I
F
= 50 一个, -di
F
/dt = 100 一个/µs, v
R
= 100 v 8 12 一个
t
rr
I
F
= 1 一个, -di
F
/dt = 100 一个/µs, v
R
= 30 v 40 60 ns
R
thJC
0.9 k/w
R
thCH
0.3 k/w
标识 情况 典型的 值
(t
VJ
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
整流器 二极管
快 恢复 二极管
V
CE
= 600 v, i
C
= 50/75 一个
V
GE
= 15 v, r
G
= 15/10
Ω
inductive 加载; l = 100 µh
T
VJ
=
125°C
IGBT
整流器 二极管
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