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1 - 2
I
FAV
= 3x 28 一个
V
RRM
= 800-1600 v
特性
●
包装 和 metal 根基 加设护板
●
分开 电压 3000 v~
●
planar 钝化的 碎片
●
ul 应用
• ¼" 快-在 电源 terminals
产品
●
切换 和 控制 的
三 阶段 交流 电路
●
softstart 交流 发动机 控制
●
固体的 状态 switches
●
明亮的 和 温度 控制
有利因素
●
容易 至 挂载 和 二 screws
●
空间 和 重量 savings
●
改进 温度 和 电源
cycling
标识 测试 情况 最大 比率
I
FAVM
T
C
= 85
c, 50 - 400 hz (每 阶段) 28 一个
I
FRMS
T
C
= 85
c, 50 - 400 hz (每 阶段) 43 一个
I
TSM
T
VJ
= 45
c; t = 10 ms (50 hz), sine 550 一个
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 600 一个
T
VJ
= t
VJM
t = 10 ms (50 hz), sine 500 一个
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 550 一个
i
2
dt
T
VJ
= 45
C t = 10 ms (50 hz), sine 1520 一个
2
s
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 1520 一个
2
s
T
VJ
= t
VJM
t = 10 ms (50 hz), sine 1250 一个
2
s
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 1250 一个
2
s
(di/dt)
cr
T
VJ
= t
VJM
repetitive, i
T
= 25 一个 150 一个/
s
f =50 hz, t
P
=200
s
V
D
= 2/3 v
DRM
I
G
= 0.45 一个 非 repetitive, i
T
= i
TAVM
500 一个/
s
di
G
/dt = 0.45 一个/
s
(dv/dt)
cr
T
VJ
= t
VJM
;v
DR
= 2/3 v
DRM
1000 v/
s
R
GK
=
; 方法 1 (直线的 电压 上升)
P
GM
T
VJ
= t
VJM
t
p
= 30
s10W
I
T
= i
TAVM
t
p
= 300
s5W
P
GAVM
0.5 W
V
RGM
10 V
T
VJ
-40...+125
C
T
VJM
125
C
T
stg
-40...+125
C
V
ISOL
50/60 hz, rms t = 1 最小值 2500 V~
I
ISOL
1 毫安 t = 1 s 3000 V~
M
d
挂载 torque (m5) 5
15 % Nm
(10-32 unf) 44
15 % lb.在.
重量
典型值 110 g
V
RSM
V
RRM
类型
V
DSM
V
DRM
VV
800 800 vyk 70-08io7
1200 1200 vyk 70-12io7
1400 1400 vyk 70-14io7
1600 1600 vyk 70-16io7
数据 符合 至 iec 60747 谈及 至 一个 单独的 二极管/thyristor 除非 否则 陈述
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况 和 维度.
初步的 数据
vyk 70
三 thyristor 单元
2
3
1
一个
C
D
E
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