k9f8008w0m-tcb0, k9f8008w0m-tib0 flash 记忆
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产品 介绍
这 k9f8008w0m 是 一个 8.6mbit(8,650,752 位) 记忆 有组织的 作 4096 rows 用 264 columns. spare 第八 columns 是 located
从 column 地址 的 256 至 263. 一个 264-字节 数据 寄存器 是 连接 至 记忆 cell arrays accommodating 数据 转移
在 这 i/o 缓存区 和 记忆 在 页 读 和 页 程序 行动. 这 记忆 排列 是 制造 向上 的 16 cells 那
是 serially 连接 至 表格 一个 与非 结构. 各自 的 这 16 cells resides 在 一个 不同的 页. 一个 块 组成 的 这 16 pages
formed 用 一个 与非 结构, totaling 2,112 与非 结构 的 16 cells. 这 排列 organization 是 显示 在 图示 2. 这 pro-
gram 和 读 行动 是 executed 在 一个 页 基准, 当 这 擦掉 运作 是 executed 在 块 基准. 这 记忆 排列
组成 的 256 separately 或者 grouped 可擦掉的 4k-字节 blocks. 它 indicates 那 这 位 用 位 擦掉 运作 是 prohibited 在这
k9f8008w0m.
这 k9f8008w0m 有 地址 多路复用 在 8 i/o
′
s. 这个 scheme dramatically 减少 管脚 counts 和 准许 系统
升级 至 future densities 用 维持 consistency 在 系统 板 设计. command, 地址 和 数据 是 所有 写 through
i/o
′
s 用 bringing我们至 低 当CE是 低. 数据 是 latched 在 这 rising 边缘 的我们. command 获得 使能(cle) 和 地址
获得 使能(ale) 是 使用 至 multiplex command 和 地址 各自, 通过 这 i/o 管脚. 所有 commands 需要 一个 总线 循环
除了 为 块 擦掉 command 这个 需要 二 循环 : 一个 循环 为 擦掉-建制 和 另一 为 擦掉-执行 之后 块
地址 加载. 这 2m 字节 物理的 空间 需要 21 地址, 因此 需要 三 循环 为 字节-水平的 寻址 : col-
umn 地址, 低 行 地址 和 高 行 地址, 在 那 顺序. 页 读 和 页 程序 需要 这 一样 三 地址
循环 下列的 这 必需的 command 输入. 在 块 擦掉 运作, 不管怎样, 仅有的 这 二 行 地址 循环 是 使用.
设备 行动 是 选择 用 writing 明确的 commands 在 这 command 寄存器. 表格 1 定义 这 明确的 commands 的
这 k9f8008w0m.
表格 1. command sets
函数 1st. 循环 2nd. 循环 可接受的 command 在 busy
sequential 数据 输入 80h -
读 1 00h -
读 2 50h -
读 id 90h -
重置 FFh - O
页 程序 10h -
块 擦掉 60h D0h
读 状态 70h - O
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