m36w0r6040t0, m36w0r6040b0
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summary 描述
这 m36w0r6040t0 和 m36w0r6040b0 是
多样的 记忆 产品 这个 联合的 二
记忆 设备; 一个 64-mbit, 多样的 bank flash
memories, 这 m58wr064ft/b, 和 一个 16-mbit
pseudo sram, 这 m69ar024b. 推荐
运行 情况 做 不 准许 更多 比 一个
记忆 至 是 起作用的 在 这 一样 时间.
这 记忆 是 offered 在 一个 stacked tfbga88
(8x10mm, 8x10 球 排列, 0.8mm 程度) package.
在 增加 至 这 标准 版本, 这 包装
是 也 有 在 含铅的-自由 版本, 在 compli-
ance 和 电子元件工业联合会 标准 j-标准-020b, 这 st eco-
包装 7191395 规格, 和 这 rohs
(restriction 的 hazardous 物质) directive.
所有 包装 是 一致的 和 含铅的-自由 焊盘-
ing 处理.
这 记忆 是 有提供的 和 所有 这 位 erased
(设置 至 ‘1’).
图示 2. 逻辑 图解
表格 1. 信号 names
AI08448
22
a0-a21
dq0-dq15
M36W0R6040T
M36W0R6040B
G
F
16
W
F
RP
F
WP
F
E1
P
G
P
W
P
UB
P
LB
P
V
SS
V
DDF
V
PPF
V
DDP
WAIT
F
L
F
K
F
V
DDQ
E
F
E2
P
a0-a19 一般 地址 输入
dq0-dq15 一般 数据 输入/输出
V
DDF
flash 记忆 电源 供应
V
DDQ
一般 flash 和 psram 电源
供应 为 i/o 缓存区
V
PPF
一般 flash optional 供应
电压 为 快 程序 &放大; 擦掉
V
SS
地面
V
DDP
psram 电源 供应
NC 不 连接 内部
DU 做 不 使用 作 内部 连接
flash 记忆 控制 功能
a21-a20
地址 输入 为 这 flash 记忆
仅有的
L
F
获得 使能 输入
E
F
碎片 使能 输入
G
F
输出 使能 输入
W
F
写 使能 输入
RP
F
重置 输入
WP
F
写 保护 输入
K
F
burst 时钟
WAIT
F
wait 数据 在 burst 模式
psram 控制 功能
E1
P
碎片 使能 输入
G
P
输出 使能 输入
W
P
写 使能 输入
E2
P
电源-向下 输入
UB
P
upper 字节 使能 输入
LB
P
更小的 字节 使能 输入
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