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W255
文档 #: 38-07255 rev. *c 页 7 的 10
布局 例子 为 ddr 2.5v 仅有的
FB
C4
10 mf
0.005 mf
G G
VDDQ2
C3
48
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G
V
G
= 通过 至 地 平面 layer
V = 通过 至 各自的 供应 平面 layer
便条: 各自 供应 平面 或者 strip 应当 有 一个
ferrite bead 和 电容
陶瓷的 caps c3 =
10
–
22
µ
F c4 = 0.005
µ
F
fb = dale ilb1206 - 300 (300
Ω
@ 100 mhz) 或者 tdk acb 2012l-120
所有 绕过 caps = 0.1
µ
f 陶瓷的
G
V
G
V
G
V
G
V
G
V
G
V
G
V
G
V
W255
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G

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W255 文档 #: 38-07255 rev. *c 页 7 的 10 布局例子为 ddr 2.5v 仅有的 FB C4 10 mf 0.005 mf G G VDDQ2 C3 48 47 46 45 44 43 42 41 40 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 39 G V G = 通过至地平面 layer V = 通过至各自的供应平面 layer 便条: 各自供应平面或者 strip 应当有一个 ferrite bead 和电容陶瓷的 caps c3 = 10 – 22 µ F c4 = 0.005 µ F fb = dale ilb1206 - 300 (300 Ω @ 100 mhz) 或者 tdk acb 2012l-120 所有绕过 caps = 0.1 µ f 陶瓷的 G V G V G V G V G V G V G V G V W255 G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G

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