关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:702263
资料名称:
W27C512-70
文件大小: 161.29K
说明
:
介绍
:
64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
9
10
11
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
W27C512
发行 释放 日期: 十一月 1999
-
7
-
修订 a4
直流 程序编制 特性, 持续
参数
sym.
情况
限制
单位
最小值
典型值
最大值
输入 低 volta
ge
V
IL
-
-
0.3
-
0.8
V
输入 高 电压
V
IH
-
2.4
-
5.5
V
输出 低 电压 (核实)
V
OL
I
OL
=
2.1 毫安
-
-
0.45
V
输出 高 电压 (核实)
V
OH
I
OH
=
-
0.4 毫安
2.4
-
-
V
a9 硅 i.d. 电压
V
ID
-
11.5
12.0
12.5
V
V
PP
程序 电压
V
PP
-
11.75
12.0
12.25
V
V
CC
供应 电压 (程序)
V
CP
-
4.75
5.0
5.25
V
交流 程序编制/擦掉
特性
(v
CC
=
5.0v
±
5%, t
一个
=
25
°
C
±
5
°
c)
参数
sym.
限制
单位
最小值
典型值
最大值
OE
/v
PP
脉冲波 上升 时间
T
PRT
50
-
-
nS
数据 建制 时间
T
DS
2.0
-
-
µ
S
CE
程序 脉冲波 宽度
T
PWP
95
100
105
µ
S
CE
擦掉 脉冲波 宽度
T
PWE
95
100
105
mS
数据 支撑 时间
T
DH
2.0
-
-
µ
S
OE
/v
PP
建制 时间
T
OES
2.0
-
-
µ
S
OE
/v
PP
支撑 时间
T
OEH
2.0
-
-
µ
S
数据 va
lid 从
CE
T
DV1
25
-
1
µ
S
数据 有效的 从 地址 改变
T
DV2
25
-
1
µ
S
CE
高 至 输出 高 z
T
DFP
0
-
130
nS
地址 建制 时间
T
作
2.0
-
-
µ
S
地址 支撑 时间
T
AH
0
-
-
µ
S
地址 支撑 时间 之后
CE
高 (擦掉)
T
AHC
2.0
-
-
µ
S
OE
/v
PP
有效的 之后
CE
高
T
VS
2.0
-
-
µ
S
OE
/v
PP
恢复 时间
T
VR
2.0
-
-
µ
S
地址 进入 时间 在 擦掉 核实 (v
CC
= 3.75v)
T
ACV
-
-
250
nS
输出 使能 进入 时间 在 擦掉 核实
(v
CC
= 3.75v)
T
OEV
-
-
150
nS
便条: v
CC
必须 b
e 应用 同时发生地 或者 在之前 v
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 v
PP
.
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com