W29EE512
64K
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8 cmos flash 记忆
发行 释放 日期: 二月 18, 2002
-1-修订 a7
一般 描述
这w29ee512 是 一个 512k 位, 5-volt 仅有的 cmos flash 记忆 有组织的 作 64k
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8 位. 这 设备
能 是 编写程序 和 erased 在-系统 和 一个 标准 5v 电源 供应. 一个 12-volt vPP是 不
必需的. 这 唯一的 cell architecture 的 这W29ee512 结果 在 快 程序/擦掉 行动 和
极其 低 电流 消耗量 (对照的 至 其它 comparable 5-volt flash 记忆 产品). 这
设备 能 也 是 编写程序 和 erased 使用 标准 非易失存储器 programmers.
特性
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单独的 5-volt program 和 擦掉 行动
•
快 页-写 行动
−
128 字节 每 页
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页 程序 循环: 10 ms (最大值.)
−
有效的 字节-程序 循环 时间: 39
µ
S
−
optional 软件-保护 数据 写
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快 碎片-擦掉 运作: 50 ms
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读 进入 时间:70/90/120 ns
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典型 页 程序/擦掉 循环: 1k/10k
•
Ten-年 数据 保持
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软件 和 硬件 数据 保护
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低 电源 消耗量
−
起作用的 电流: 50 毫安 (最大值.)
−
备用物品 电流: 100
µ
一个 (最大值.)
•
自动 程序 定时 和 内部的VPP
一代
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终止 的 程序 发现
−
toggle 位
−
数据 polling
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latched 地址 和 数据
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ttl 兼容 i/o
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电子元件工业联合会 标准 字节-宽 pinouts
•
有 包装: 32-管脚 plcc, tsop 和
VSOP
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