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资料编号:702596
 
资料名称:W29C040P-90
 
文件大小: 261.39K
   
说明
 
介绍:
512K X 8 CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
W29C040
发行 释放 日期: 将 1999
-9- 修订 a5
command 代号 为 激励 块 lockout 使能
字节 sequence 激励 块 lockout 特性 设置
在 第一 16k 地址 激励 块
激励 块 lockout 特性 设置
在 last 16k 地址 激励 块
地址 数据 地址 数据
0 写 5555H AAH 5555H AAH
1 写 2AAAH 55H 2AAAH 55H
2 写 5555H 80H 5555H 80H
3 写 5555H AAH 5555H AAH
4 写 2AAAH 55H 2AAAH 55H
5 写 5555H 40H 5555H 40H
6 写 00000H 00H 3FFFFH FFH
pause 10 ms pause 10 ms
激励 块 lockout 使能 acquisition 流动
加载 数据 aa
地址 5555
加载 数据 55
地址 2aaa
加载 数据 80
地址 5555
加载 数据 aa
地址 5555
加载 数据 55
地址 2aaa
加载 数据 40
地址 5555
pause 10 ms
加载 数据 00
地址 00000
激励 块 lockout
特性 设置 在 第一 16k
地址 激励 块
激励 块 lockout
特性 设置 在 last 16k
地址 激励 块
加载 数据 aa
地址 5555
加载 数据 55
地址 2aaa
加载 数据 80
地址 5555
加载 数据 aa
地址 5555
加载 数据 55
地址 2aaa
加载 数据 40
地址 5555
pause 10 ms
加载 数据 ff
地址 3ffff
注释 为 激励 块 lockout 使能:
1. 数据 format: dq7
dq0 (十六进制)
2. 地址 format: a14
a0 (十六进制)
3. 如果 你 有 任何 questions 关于 这个 command sequence, 请 联系 这 local distributor 或者 winbond electronics corp.
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