W29EE011
128K
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8 cmos flash 记忆
发行 释放 日期: july 1999
-1-修订 a12
一般 描述
这 w29ee011 是 一个 1-megabit, 5-volt 仅有的 cmos flash 记忆 有组织的 作 128k
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8 位. 这
设备 能 是 编写程序 和 erased 在-系统 和 一个 标准 5v 电源 供应. 一个 12-volt v
PP
是
不 必需的. 这 唯一的 cell architecture 的 这w29ee011 结果 在 快 程序/擦掉 行动
和 极其 低 电流 消耗量 (对照的 至 其它 comparable 5-volt flash 记忆
产品). 这 设备 能 也 是 编写程序 和 erased 使用 标准 非易失存储器 programmers.
特性
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单独的 5-volt 程序 和 擦掉 行动
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快 页-写 行动
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128 字节 每 页
−
页 程序 循环: 10 ms (最大值.)
−
有效的 字节-程序 循环 时间: 39
µ
S
−
optional 软件-保护 data 写
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快 碎片-擦掉 运作: 50 ms
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读 进入 时间: 90/150 ns
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页 程序/擦掉 循环: 1k/10k
•
Ten-年 数据 retention
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软件 和 硬件 数据 保护
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低 电源 消耗量
−
起作用的 电流: 25 毫安 (典型值.)
−
备用物品 电流: 20
µ
一个 (典型值.)
•
自动 程序 定时和 内部的 v
PP
一代
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终止 的 程序 发现
−
toggle 位
−
数据 polling
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latched 地址 和 数据
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ttl 兼容 i/o
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电子元件工业联合会 标准 字节-宽 pinouts
•
有 包装: 32-管脚 600 mil 插件,
tsop, 和 plcc
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