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资料编号:702636
 
资料名称:W29C020-12
 
文件大小: 267.62K
   
说明
 
介绍:
256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
W29C020
发行 释放 日期: 二月 1998
-11- 修订 a3
电源-向上 定时
参数 标识 典型 单位
电源-向上 至 读 运作 TPU. 读 100
µ
S
电源-向上 至 写 运作 TPU. 写 5 mS
电容
(vDD= 5.0v, t一个= 25
°
c, f = 1 mhz)
参数 标识 情况 最大值 单位
dq 管脚 电容 CDQ VDQ= 0v 12 pF
输入 管脚 电容 C V= 0v 6 pF
交流 特性
交流 测试 情况
(vDD= 5.0v
±
10
%
为 90 ns 和 120 ns; vDD= 5.0v
±
5% 为 70 ns)
参数 情况
输入 脉冲波 水平 0v 至 3v
输入 上升/下降 时间 <5 ns
输入/输出 定时 水平的 1.5v/1.5v
输出 加载 1 ttl 门 和 cL= 100 pf 为 90/120 ns
CL= 30 pf 为 70 ns
交流 测试 加载 和 波形
+5V
1.8k
1.3k
D
输出
100 pf 为 90/120 ns
30 pf 为 70 ns
(包含 jig 和 scope)
输入
3V
0V
测试 要点 测试 要点
1.5v
1.5v
输出
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