W29C020
-10-
直流 特性
绝对 最大 比率
参数 比率 单位
电源 供应 电压 至 vSS潜在的 -0.5 至 +7.0 V
运行 温度 0 至 +70
°
C
存储 温度 -65 至 +150
°
C
d.c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 除了 a9 -0.5 至 vDD+1.0 V
瞬时 电压 (<20 ns ) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 -1.0 至 vDD+1.0 V
电压 在 a9 和
OE
管脚 至 地面 潜在的
-0.5 至 12.5 V
便条: 暴露 至 情况 在之外 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 反而 影响 这 生命 和 可靠性 的 这
设备.
运行 特性
(vDD= 5.0v
±
10
%
, vSS= 0v, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 sym. 测试 情况 限制 单位
最小值 典型值 最大值
电源 供应 电流
ICC
CE
=
OE
= vIL,
我们
= vIH,
所有 dqs 打开
地址 输入 = vIL/vIH,
在 f = 5 mhz
- - 50 毫安
备用物品 vDD电流
(ttl 输入)
ISB1
CE
= vIH, 所有 dqs 打开
其它 输入 = vIL/vIH
- 2 3 毫安
备用物品 vDD电流
(cmos 输入)
ISB2
CE
= vDD-0.3v, 所有 dqs
打开
- 20 100
µ
一个
输入 泄漏 电流
ILI V在= 地 至 vDD - - 10
µ
一个
输出 泄漏 电流
ILO V在= 地 至 vDD - - 10
µ
一个
输入 低 电压
VIL
-
- - 0.8 V
输入 高 电压
VIH
-
2.0 - - V
输出 低 电压
VOL IOL= 2.0 毫安 - - 0.45 V
输出 高 电压
VOH1
IOH= -400
µ
一个
2.4 - - V
输出 高 电压
CMOS
VOH2
IOH= -100
µ
一个; vCC= 4.5v
4.2 - - V
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