W39L040
512K
×
8 cmos flash 记忆
发行 释放 日期: 二月 10, 2003
- 1 - 修订 a3
1. 一般 描述
这 w39l040 是 一个 4mbit, 3.3-volt 仅有的 cmos flash 记忆 有组织的 作 512k
×
8 位. 为 有伸缩性的
擦掉 能力, 这 4mbits 的 数据 是 分隔 在至 8 uniform sectors 的 64 kbytes, 这个 是
composed 的 16 小 甚至 页 和 4 kbytes. 这 字节-宽 (
×
8) 数据 呈现 在 dq7
−
dq0.
这 设备 能 是 编写程序 和 erased 在-系统和 一个 标准 3.3v 电源 供应. 一个 12-volt
V
PP
是 不 必需的. 这 唯一的 cell architecture的 这 w39l040 结果 在 快 程序/擦掉
行动 和 极其 低 电流 consumpti在 (对照的 至 其它 comparable 3.3-volt flash
记忆 产品). 这 设备 能 也 是编写程序 和 erased 用 使用 标准 非易失存储器
programmers.
2. 特性
•
单独的 3.3-volt 行动
−
3.3-volt 读
−
3.3-volt 擦掉
−
3.3-volt 程序
•
快 程序 运作:
−
字节-用-字节 程序编制: 50
µ
s (最大值.)
•
快 擦掉 运作:
−
碎片 擦掉 循环 时间: 100 ms (最大值.)
−
sector 擦掉 循环 时间: 25 ms (最大值.)
−
页 擦掉 循环 时间: 25 ms (最大值.)
•
读 进入 时间: 70/90 ns
•
8 甚至 sectors 和 64k 字节 各自, 这个 是
composed 的 16 有伸缩性的 页 和 4k 字节
•
任何 单独的 sector 或者 页 能 是 erased
•
硬件 保护:
−
optional 16k 字节 或者 64k 字节 顶/bottom
激励 块 和 lockout 保护
•
有伸缩性的 4k-页 大小 能 是 使用 作
参数 blocks
•
典型 程序/擦掉 循环: 1k/10k
•
twenty-年 数据 保持
•
低 电源 消耗量
−
起作用的 电流: 10 毫安 (典型值.)
−
备用物品 电流: 2
µ
一个 (典型值.)
•
终止 的 程序 发现
−
软件 方法: toggle 位/数据 polling
•
ttl 兼容 i/o
•
电子元件工业联合会 标准 字节-宽 pinouts
•
有 包装: 32l plcc, 32l tsop (8 x
20 mm) 和 32l stsop (8 x 14 mm)
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