W78E54B
发行 释放 日期: 12月 2000
- 9 - 修订 a3
重置
这外部重置信号是抽样在s5p2.至引领效应,它必须是使保持高为在least二
机器 循环 当 这 振荡器 是 运动. 一个 内部的 触发 电路 在 这 重置 线条 是 使用 至
deglitch这重置线条当这W78E54B是使用和一个外部RC网络.这重置逻辑也
有 一个 特定的 glitch 除去 电路 那 ignores glitches 在 这 重置 线条.
在 重置, 这 端口 是 initialized 至 ffh, 这 堆栈 pointer 至 07h, pcon (和 这 例外 的 位
4) 至 00h, 和 所有 的 这 其它 sfr 寄存器 除了 sbuf 至 00h. sbuf 是 不 重置.
在-碎片 flash 非易失存储器 特性
这 W78E54B 有 一些 模式 至 程序 这 在-碎片 Flash 非易失存储器. 所有 这些 行动 是
配置 用 这 管脚 rst, ale,
PSEN , a9ctrl(p3.0), a13ctrl(p3.1), a14ctrl(p3.2),
oectrl(p3.3),
CE (p3.6), OE (p3.7), a0(p1.0) 和 V
PP
( EA ). moreover, 这 A15
−
a0(p2.7
−
p2.0,
p1.7
−
p1.0) 和 这 D7
−
d0(p0.7
−
p0.0) 提供 作 这 地址 和 数据 总线 各自 为 这些
行动.
读 运作
这个运作是supported为客户至读它们的代号和这安全位.这数据将不是
有效的 如果 这 锁 位 是 编写程序 至 低.
输出 使不能运转 情况
当 这
OE 是 设置 至 高, 非 数据 输出 呈现 在 这 d7..d0.
程序 运作
这个运作是使用至程序这数据至Flash非易失存储器和这安全位.程序运作
是 完毕 当 这 vpp 是 reach 至 vcp (12.5v) 水平的,
CE 设置 至 低, 和 OE 设置 至 高.
程序 核实 运作
所有 这 程序编制 数据 必须 是 审查 之后 程序 行动. 这个 运作 应当 是
执行 之后 各自 字节 是 编写程序; 它 将 确保 一个 substantial 程序 余裕.
擦掉 运作
一个擦掉运作是这仅有的方法至改变数据从0至1.这个运作将擦掉所有这Flash
非易失存储器 cells 和 这 安全 位 从 0 至 1. 这个擦掉运作是 完毕 当 这 vpp 是 reach 至
vep 水平的,
CE 设置 至 低, 和 OE 设置 至 高.
擦掉 核实 运作
之后 一个 擦掉 运作, 所有 的 这 字节 在 这 碎片 必须 是 核实 至 审查 whether 它们 有 被
successfullyerased至1或者不.这擦掉核实运作automatically确保一个substantial擦掉
余裕. 这个 运作 将 是 完毕 之后 这 擦掉 运作 如果 vpp = vep (14.5v),
CE 是 高 和 OE
是 低.
程序/擦掉 inhibit 运作
这个 运作 准许 并行的 erasing 或者 程序编制 的 多样的 碎片 和 不同的 数据. 当
p3.6(
CE ) = V
IH
, p3.7( OE ) = V
IH
, erasing 或者 程序编制 的 非-targeted 碎片 是 inhibited. 所以,
除了 为 这 p3.6 和 p3.7 管脚, 这 单独的 碎片 将 有 一般 输入.
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