PreliminaryW78LE52
发行 释放 日期: january 1999
-13- 修订 a1
直流 特性, 持续
参数 sym. PECIFICATION 单位 测试 情况
最小值 最大值
输入 泄漏 电流
p0, EA
ILK -10 +10
µ
一个
VDD= 5.5v
0v < v在< vDD
逻辑 1 至 0 转变 电流
p1, p2, p3, p4
ITL
[*4]
-500 -
µ
一个
VDD= 5.5v
V在= 2.0v
输入 低 电压 VIL1 0 0.8 V VDD= 4.5v
p0, p1, p2, p3, p4, EA
0 0.5 V VDD= 2.4v
输入 低 电压 VIL2 0 0.8 V VDD= 4.5v
RST[*1] 0 0.3 V VDD= 2.4v
输入 低 电压 VIL3 0 0.8 V VDD= 4.5v
xtal1 [*3] 0 0.6 V VDD= 2.4v
输入 高 电压 VIH1 2.4 VDD+0.2 V VDD= 5.5v
p0, p1, p2, p3, p4, EA
1.4 VDD+0.2 V VDD= 2.4v
输入 高 电压 VIH2 3.5 VDD+0.2 V VDD= 5.5v
RST[*1] 1.7 VDD+0.2 V VDD= 2.4v
输入 高 电压 VIH3 3.5 VDD+0.2 V VDD= 5.5v
xtal1 [*3] 1.6 VDD+0.2 V VDD= 2.4v
输出 低 电压 VOL1 - 0.45 V VDD= 4.5v, iOL= +2 毫安
p1, p2, p3, p4 - 0.25 V VDD= 2.4v, iOL= +1 毫安
输出 低 电压 VOL2 - 0.45 V VDD= 4.5v, iOL= +4 毫安
p0, ale, PSEN [*2]
- 0.25 V VDD= 2.4v, iOL= +2 毫安
下沉 电流 ISK1 4 12 毫安 VDD= 4.5v, vin = 0.45v
p1, p2, p3, p4 1.8 5.4 毫安 VDD= 2.4v, vin = 0.45v
下沉 电流 ISK2 8 16 毫安 VDD= 4.5v, vin = 0.45v
p0, ale, PSEN
4.0 9 毫安 VDD= 2.4v, vin = 0.45v
输出 高 电压 VOH1 2.4 - V
VDD= 4.5v, iOH= -100
µ
一个
p1, p2, p3, p4 1.4 - V
VDD= 2.4v, iOH= -8
µ
一个
输出 高 电压 VOH2 2.4 - V
VDD= 4.5v, iOH= -400
µ
一个
p0, ale, PSEN [*2]
1.4 - V
VDD= 2.4v, iOH= -200
µ
一个
源 电流 ISR1 -100 -250
µ
一个
VDD= 4.5v, vin = 2.4v
p1, p2, p3, p4 -10 -30
µ
一个
VDD= 2.4v, vin = 1.4v
源 电流 ISR2 -8 -14 毫安 VDD= 4.5v, vin = 2.4v
p0, ale, PSEN
-1.0 -2.4 毫安 VDD= 2.4v, vin = 1.4v
注释:
*1. rst 管脚 是 一个 施密特 触发 输入.
*2. p0, ale 和 /psen 是 测试 在 这 外部 进入 模式.
*3. xtal1 是 一个 cmos 输入.
*4. 管脚 的 p1, p2, p3, p4 能 源 一个 转变 电流 当 它们 是 正在 externally 驱动 从 1 至 0.
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