和 temporarily unprotected 至 制造 改变 在
这 应用. 各自 块 能 是 编写程序
和 erased 在 100,000 循环.
说明 为 读/重置, 自动 选择 为 读-
ing 这 电子的 Signature 或者 块 保护
状态, 程序编制, 块和 碎片 擦掉, 擦掉
Suspend 和 重新开始 是 写 至 这 设备 在
循环的 commands至 一个 Command 接口使用
标准 微处理器 写 timings.
这 设备 是 offered 在 TSOP48 (12 x 20mm) 和
SO44 包装. 两个都 正常的 和 反转 pinouts
是 有 为 这 TSOP48 包装.
Organisation
这 M29W800 是 organised 作 1 M x8 或者 512K x16
位 可选择的 用 这 BYTE 信号. 当 BYTE 是
低 这 字节-宽 x8 organisation 是 选择 和
这 地址 线条 是 DQ15A–1 和 a0-a18. 这
数据 输入/输出 信号 DQ15A–1 acts 作 ad-
dress 线条 A–1 这个 选择 这 更小的 或者 upper
字节 的 这 记忆 文字 为 输出 在 dq0-dq7,
dq8-dq14 仍然是 在 高 impedance. 当
字节 是 高 这 记忆 使用 这 地址 输入
a0-a18 和 这 数据 输入/输出 dq0-dq15.
记忆 控制 是 提供 用 碎片 使能 e,
输出 使能 G 和 写 使能 W 输入.
一个重置/块 TemporaryUnprotection RP触发-水平的
输入 提供 一个 硬件 重置 当 牵引的 低,
和当 使保持高 (在 V
ID
) temporarily unprotects
blocks 先前 保护 准许 它们 至 是
programed和 erased. 擦掉 和 程序 opera-
tions 是 控制 用 一个 内部的 程序/擦掉
控制 (p/e.c.). 状态 寄存器 数据 输出 在
DQ7 提供 一个 数据 Polling 信号, 和 DQ6 和
DQ2 提供 Toggle 信号 至 表明 这 状态 的
描述
(内容’d)
这 p/e.c 行动. 一个 准备好/busy RB 输出
indicates 这 completion 的 这 内部的 algorithms.
记忆 Blocks
这 设备 特性 asymmetrically blocked archi-
tectureproviding 系统 记忆 integration.两个都
M29W800T和 M29W800B设备有 一个 排列
的 19 blocks, 一个 激励 块 的 16 KBytes 或者 8
kwords, 二 参数 Blocks 的 8 KBytes 或者 4
kwords, 在e 主要的 块 of 32 KBytes 或者 16
KWords 和 fifteen主要的 Blocks 的 64 KBytes 或者 32
kwords. 这 M29W800T有 这 激励 块 在 这
顶 的 这 记忆 地址 空间 和 这
M29W800B locates 这 激励 块 开始 在 这
bottom. 这 记忆 maps 是 showed 在 图示
3.
各自 块 能 是 erased separately, 任何 combi-
nation 的 blocks 能 是 指定 为 multi-块
擦掉 或者 这 全部 碎片 将 是 erased. 这 擦掉
oper一个tions 是 managed automatically 用 这
p/e.c. 这 块 擦掉 运作 能 是 sus-
pended 在 顺序 至 读 从 或者 程序 至 任何
块 不 正在 ersased, 和 然后 resumed.
块 保护 提供 额外的 数据 安全.
各自 块 能 是 separately 保护 或者 unpro-
tected 相反 程序 或者 擦掉 在 程序编制
设备. 所有 先前 保护 blocks 能 是
temporarily unprotected 在 这 应用.
总线 行动
这 下列的 行动 能 是 执行 使用
这 适合的总线 循环: 读 (排列, 电子的
signature, 块 保护 状态), 写 com-
mand, 输出 使不能运转, 备用物品,重置, 块 pro-
tection, unprotection, 保护 核实,
Unprotection 核实 和 块 Temporary unpro-
tection. 看 Tables 4 和 5.
标识 参数 值 单位
T
一个
包围的 运行 温度
(3)
–40 至 85
°
C
T
偏差
温度 下面 偏差 –50 至 125
°
C
T
STG
存储 温度 –65 至 150
°
C
V
IO
(2)
输入 或者 输出 电压 –0.6 至 5 V
V
CC
供应 电压 –0.6 至 5 V
V
(a9, e, g, rp)
(2)
a9, e, g, RP 电压 –0.6 至 13.5 V
注释:
1. 除了 为 这 比率 ”Operating 温度 range”, 压力 在之上 那些 listed 在 这 表格 ”Absolute 最大 Ratings”
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它
情况 在之上 那些 表明 在 这 运行 sections 的 这个 规格 是 不 i mplied. 暴露 至 绝对 最大
比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 谈及 也 至 这 意法半导体 确信 程序 和 其它
相关的 质量 documents.
2. 最小 电压 将 undershoot to –2V 在 转变 和 为 较少 比 20ns.
3. 取决于 在 范围.
表格 2. 绝对 最大 比率
(1)
3/33
m29w800t, M29W800B
: 点此下载
