w89c926 pentic+
发行 释放 日期: january 1996
-5- 修订 a1
管脚 描述, 持续
名字 号码 类型 描述
记忆 支持 接口
msa0-7
msa8-10
msa11-13
msa14-16
90-97
82, 81, 78
80, 98, 84
99, 69, 70
o/ttl 记忆 支持 地址:
latched 地址 使用 至 decode accesses 至 这 在-
板 记忆.
msd0-2
msd3-7
89-87
71-75
io/3sh
i/o/3sh
记忆 支持 数据 总线:
双向的 在-板 记忆 数据 总线.
可擦可编程只读存储器 接口:
在 这 可擦可编程只读存储器 自动-加载 或者 读/写 sequence,
msd0 是 使用 作 一个 串行 数据 输入/输出 从/至
可擦可编程只读存储器, msd1 输出 可擦可编程只读存储器 commands 至
可擦可编程只读存储器, 和 msd2 发送 一个 时钟 和 一个 时期 的 1.2
microseconds. 这个 函数 是 有 仅有的 当
eecs/ FCS 是 低 在 h/w 重置.
RCS
77 o/ttl sram 碎片 选择:
RCS 是 asserted 用 这 pentic+ 为 sram 碎片
使能 在 缓存区 记忆 进入.
eecs/
FCS
76 o/3sh
i/3sh
nonvolatile 记忆 碎片 选择:
eecs/ FCS 是 asserted 用 这 pentic+ 为 碎片 en能
在 nonvolatile 记忆 进入. 它 是 起作用的 低 为
flash 记忆 使能 和 起作用的 高 为 可擦可编程只读存储器 碎片
使能.
nonvolatile 记忆 发现:
在 h/w 重置, 这 pentic+ 将 决定 这
存在 nonvolatile 记忆 类型 用 抽样 这
电压 水平的 在 这个 管脚. 如果 这个 管脚 是 externally 牵引的
高 和 一个 470k ohm 电阻, 这 pentic+ 将
决定 那 这 记忆 是 一个 flash 记忆; 如果 这 管脚
是 牵引的 低 和 一个 470k ohm 电阻, 它 将 决定
那 这 记忆 是 一个 可擦可编程只读存储器.
MSRD
79 o/ttl 记忆 支持 读:
MSRD 是 asserted 用 这 pentic+ 至 strobe 读 数据
从 这 在-板 记忆. 两个都 sram 和 flash
记忆 使用MSRD 作 这 读 command strobe.
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